[实用新型]一种用于晶圆干燥装置的槽体顶盖有效
| 申请号： | 202220243916.X | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN217182139U | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 卢证凯;邓信甫;廖世保;陈丁堃 | 申请（专利权）人： | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司;合肥至汇半导体应用技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海智力专利商标事务所(普通合伙) 31105 | 代理人： | 杜冰云;周涛 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 干燥 装置 顶盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于晶圆干燥装置的槽体顶盖，其特征在于，所述槽体顶盖盖合在晶圆干燥装置的干燥槽体上，槽体顶盖的一端部设置有用于容纳晶圆干燥装置的提升机构的提升衔接腔，槽体顶盖的内壁上设置有固定槽和干燥模组，干燥模组包括用于向晶圆上端喷送干燥气体的第一气体喷淋管、用于向晶圆中心以上部位喷送干燥气体的第二气体喷淋管、以及用于向晶圆中心以下部位喷送干燥气体的第三气体喷淋管。
2.根据权利要求1所述的用于晶圆干燥装置的槽体顶盖，其特征在于，所述提升衔接腔与槽体顶盖的内腔室相连通。
3.根据权利要求1所述的用于晶圆干燥装置的槽体顶盖，其特征在于，所述第一气体喷淋管、第二气体喷淋管和第三气体喷淋管分别固定在槽体顶盖的前、后内壁上。
4.根据权利要求1或3所述的用于晶圆干燥装置的槽体顶盖，其特征在于，所述第一气体喷淋管喷射出的干燥气体与晶圆的中心法线成30度角，第二气体喷淋管喷射出的干燥气体与晶圆的中心法线成45度角，第三气体喷淋管喷射出的干燥气体与晶圆的中心法线成135度角。
5.根据权利要求1所述的用于晶圆干燥装置的槽体顶盖，其特征在于，所述干燥气体为异丙醇与氮气的混合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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