[实用新型]一种晶圆传输的对接装置及其形成的晶圆传输系统有效
申请号: | 202220234515.8 | 申请日: | 2022-01-28 |
公开(公告)号: | CN218447844U | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 冯琳;刘锐;高飞翔;田君一 | 申请(专利权)人: | 上海广川科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;吴世华 |
地址: | 200444 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 传输 对接 装置 及其 形成 系统 | ||
本申请公开了一种晶圆传输的对接装置,包括:通用部;其内部形成放置晶圆的中转腔,所述中转腔外侧设置有通用连接侧壁,所述通用连接侧壁中设置有容纳晶圆通过的连接通孔;补充部;其内部形成能够容纳晶圆通过的补充腔,所述补充腔外侧设置有补充连接侧壁,且所述补充连接侧壁与所述通用连接侧壁相匹配;所述补充连接侧壁中设置有容纳晶圆通过的补充通孔。本实用新型提高的一种晶圆传输的对接装置及其形成的晶圆传输系统,能够将对接装置拆分为通用部和补充部,通用部结合不同的补充部即可实现不同晶圆平台之间的拼接转运,降低了晶圆传输系统的成本,提高了晶圆传输效率。
技术领域
本实用新型属于晶圆传输领域,具体属于一种晶圆传输的对接装置及其形成的晶圆传输系统。
背景技术
在晶圆传输过程中,需要在多个晶圆平台之间进行转运,转运的晶圆有可能是经过加工处理之后的晶圆,此时晶圆需要保持在真空环境中,防止表面被污染。
然而现有的晶圆平台可能来自不同厂家,具有不同的大小和尺寸,无法拼接形成整体,因此就需要采用对接装置将不同的晶圆平台拼接在一起。现有的对接装置需要针对待拼接的晶圆平台进行专门设计,不同形状和尺寸的晶圆平台所需要的对接装置不同,这就导致晶圆传输系统中需要多个对接装置,制备存储这些对接装置需要花费大量的成本,间接提升了晶圆传输系统的运营成本。
实用新型内容
本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的问题之一。为此,本实用新型的目的在于提供一种晶圆传输的对接装置及其形成的晶圆传输系统,能够将对接装置拆分为通用部和补充部,通用部结合不同的补充部即可实现不同晶圆平台之间的拼接转运,降低了晶圆传输系统的成本,提高了晶圆传输效率。
为了实现上述目的,本实用新型提出了如下技术方案:一种晶圆传输的对接装置,包括:
通用部;其内部形成放置晶圆的中转腔,所述中转腔外侧设置有通用连接侧壁,所述通用连接侧壁中设置有容纳晶圆通过的连接通孔;
补充部;其内部形成能够容纳晶圆通过的补充腔,所述补充腔外侧设置有补充连接侧壁,且所述补充连接侧壁与所述通用连接侧壁相匹配;所述补充连接侧壁中设置有容纳晶圆通过的补充通孔。
进一步的,所述通用连接侧壁包括第一通用连接侧壁和第二通用连接侧壁,所述第一通用连接侧壁中包含第一连接通孔,所述第二通用连接侧壁中包含第二连接通孔。
进一步的,所述第一通用连接侧壁和第二通用连接侧壁之间设置有第一弯折侧壁和第二弯折侧壁;所述第一通用连接侧壁、第二通用连接侧壁、第一弯折侧壁和第二弯折侧壁共同围成所述中转腔,所述中转腔内部设置有放置晶圆的承载台。
进一步的,所述第一弯折侧壁和第二弯折侧壁中均包含拐点,且拐点处的夹角不相等。
进一步的,所述补充部为三角形的补充部,所述补充部的其中一个补充连接侧壁与所述通用连接侧壁固定连接,所述补充部的另一端连接晶圆平台。
进一步的,还包括密封壳体,所述密封壳体将所述中转腔和密封腔进行密封。
一种晶圆传输系统,包括上述任意一项所述的对接装置,所述对接装置位于两个晶圆平台之间。
本实用新型提供的上述技术方案与现有技术相比,具有如下优点:本申请中对接装置采用一个通用部和多个补充部之间的配合,实现了对接装置在不同晶圆平台之间的通用性,在连接不同晶圆平台时只需要更换补充部即可,无需更换整体的对接装置;补充部结构简单,体积较小,相比整体对接装置的制备工艺简单,成本较低;相比现有技术中需要制备多个对接装置的方法,本申请对接装置适用范围广,且工艺成本低,降低不同晶圆平台之间的传输成本,提高了晶圆传输效率。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本实用新型的实施例,并与说明书一起用于解释本实用新型的原理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造