[发明专利]QFN封装材料及其制备方法及其应用

说明书

本发明涉及半导体封装技术领域，特别涉及QFN封装材料及其制备方法及其应用。所述QFN封装材料，包括以下质量百分比的原料：双酚A型环氧树脂2wt％～12wt％；脂环族环氧树脂2wt％～12wt％；萘型环氧树脂0wt％～5wt％；四官能团环氧树脂0wt％～5wt％；环氧树脂固化剂10wt％～20wt％；固化促进剂0.2wt～1wt％；无机填料60wt％～80wt％；功能助剂0.2wt～1wt％。本发明可显著提高QFN封装材料的储能模量，使其耐热、耐形变能力强，避免翘曲问题。同时，所得QFN封装材料热膨胀系数小，可靠性高，成本低。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别涉及QFN封装材料及其制备方法及其应用。

背景技术

随着各种消费性数字产品的发展，半导体越来越朝向轻、薄、小体积和高性能发展。QFN封装即为顺应该发展趋势所开发出来的。

QFN(quad flat non-leaded package)四侧无引脚扁平封装，属于一种表面贴装型封装形式，将原先在封装体周遭的输出引脚收放到封装体底部，从而在贴片作业时大大减少所占的空间。此封装结构由于体积小、重量轻，加上杰出的电性能和热性能，特别适合对尺寸、重量和性能都有要求的应用环境。

目前，适用于QFN封装的材料常出现翘曲等问题，其耐热性有待提高。

发明内容

基于此，本发明提供一种QFN封装材料及其制备方法。

本发明第一方面提供一种QFN封装材料，其技术方案如下：

一种QFN封装材料，包括以下质量百分比的原料：

在其中一些实施例中，所述双酚A型环氧树脂满足以下条件中的至少一个：

1)选自E44型环氧树脂、E51型环氧树脂、E52型环氧树脂或其组合；

2)环氧当量为182g/eq～192g/eq；

3)30℃下的粘度为5000cp～7000cp。

在其中一些实施例中，所述脂环族环氧树脂满足以下条件中的至少一个：

1)环氧当量为132g/eq～142g/eq；

2)30℃下的粘度为200cp～500cp。

在其中一些实施例中，所述萘型环氧树脂满足以下条件中的至少一个：

1)环氧当量为135g/eq～150g/eq；

2)30℃下的粘度为15000cp～30000cp。

在其中一些实施例中，所述四官能团环氧树脂满足以下条件中的至少一个：

1)为四缩水甘油胺型环氧树脂；

2)环氧当量为108g/eq～120g/eq；

3)30℃下的粘度为35000cp～50000cp。

在其中一些实施例中，所述环氧树脂固化剂为酸酐类固化剂；可选地，所述酸酐类固化剂选自甲基六氢化邻苯二甲酸酐(MHHPA)、甲基四氢化邻苯二甲酸酐(MTHPA)或其组合。

在其中一些实施例中，所述固化促进剂为咪唑类促进剂；可选地，所述咪唑类促进剂选自PN50、PN23、均苯四甲酸与2-甲基咪唑的混合物或其组合。