[发明专利]一种化学放大型I线光刻胶及其制备与使用方法

说明书

本发明涉及一种化学放大型I线光刻胶及其制备与使用方法，该光刻胶包括以下质量百分比的各组分：聚合物树脂，光刻胶的10～20％；光酸，聚合物树脂的2～10％；酸猝灭剂，光酸的8～30％；稳定剂，聚合物树脂的0.5～15％；流平剂，光刻胶的0.05～0.5％；溶剂，补足100％；其中，聚合物树脂为聚羟基苯乙烯类聚合物树脂。制备方法包括以下步骤：将化学放大型I线光刻胶的各组分按比例混合。使用方法包括以下步骤：将化学放大型I线光刻胶涂布在Si基材上，依次经过前烘、曝光、后烘和显影。本发明提供的光刻胶可以有效解决化学放大型I线光刻胶的能量稳定性问题。

技术领域

本发明涉及光刻胶技术领域，具体为一种化学放大型I线光刻胶及其制备与使用方法。

背景技术

所谓光刻胶，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐刻蚀薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3中主要成分组成的对光敏感的混合液体。随着集成电路及器件的研制开发，在大规模集成电路、超大规模集成电路中光刻胶的分辨率越来越高。

光刻胶对光敏感，光刻胶的保质期比较短，尤其是高档光刻胶，一般保质期在六个月以内。而且由于光能和热能都可以激活光刻胶，所以存储和运输都必须在密闭、低温、不透光的环境中。一旦超过存储器或者存储温度范围，正性胶会发生感光延迟，负性胶就会发生交联。

发明内容

本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种化学放大型I线光刻胶及其制备与使用方法，以解决化学放大型I线光刻胶能量稳定性问题。

为了实现本发明之目的，本申请提供以下技术方案。

在第一方面中，本申请提供一种化学放大型I线光刻胶，所述光刻胶包括以下质量百分比的各组分：

其中，所述聚合物树脂为聚羟基苯乙烯类聚合物树脂。

在第一方面的一种实施方式中，所述聚羟基苯乙烯类聚合物树脂包括第一聚羟基苯乙烯类聚合物树脂和第二聚羟基苯乙烯类聚合物树脂；

所述第一聚羟基苯乙烯类聚合物树脂为羟基苯乙烯化合物、苯乙烯化合物和丙烯酸叔丁酯化合物的共聚物；所述第二聚羟基苯乙烯类聚合物树脂为羟基苯乙烯化合物、苯乙烯化合物和对甲氧基苯乙烯化合物的共聚物。

在第一方面的一种实施方式中，所述第一聚羟基苯乙烯类聚合物树脂的质量为光刻胶的8～17.5％，所述第二聚羟基苯乙烯类聚合物树脂的质量为光刻胶的2～2.5％。

在第一方面的一种实施方式中，所述光刻胶还包括如下技术特征中的至少一项：

a1)所述第一聚羟基苯乙烯类聚合物树脂重均分子量为15000～26000；

a2)所述第一聚羟基苯乙烯类聚合物树脂的分子量分布系数为PDI2.5；

a3)所述第一聚羟基苯乙烯类聚合物树脂由如下摩尔比的各组分共聚得到：

羟基苯乙烯化合物 50～70％；

苯乙烯化合物 10～30％；

丙烯酸叔丁酯化合物 补足100％；

a4)所述第二聚羟基苯乙烯类聚合物树脂的重均分子量为8000～15000；

a5)所述第二聚羟基苯乙烯类聚合物树脂的分子量分布系数为PDI2.5；

a6)所述第二聚羟基苯乙烯类聚合物树脂由如下摩尔比的各组分共聚得到：

羟基苯乙烯化合物 60～80％；

苯乙烯化合物 5～15％；