[发明专利]一种发光二极管芯片

说明书

本发明涉及半导体芯片技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管芯片，包括：以及依次设置在所述基板上的外延结构单元以及与外延结构单元电极连接的电极结构单元，其中，所述外延结构单元至少包括N型半导体层、有源层、P型半导体层；所述电极结构单元至少包括依次设置的电流扩展层、第一电极层、第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层和焊盘层，所述第一电极层的厚度小于1.2μm；所述第一电极和所述第二电极层不包含金属Au。所提供的发光二极管芯片降低和限定了第一电极的高度，大大降低了第一电极的高度，使其厚度小于1.2μm，并且第一电极层和/或第二电极层均不使用金属Au，避免了现有存在金颗粒造成的绝缘层断裂所带来的一系列问题。

技术领域

本发明涉及发光芯片技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管芯片。

背景技术

LED芯片目前已广泛应用于显示通信、显示照明、手机闪光灯、显示和背光照明、汽车照明灯等领域。随着LED技术的成熟化和行业竞争的白热化，对芯片提出更高要求，如可靠性、芯片热阻、散热性、成本等。

在LED各电极的金属导电层中，由于金属Au具有良好的金属特性通常被作为电极包裹层。但是，在蒸发过程中，由于黄金颗粒导致绝缘层断裂，从而导致封装模组端失效的情况急剧增加。虽然现有技术提出改善金属Au颗粒问题的办法，但是始终无法从根源解决这一问题。因此，不使用金属Au或者尽可能少使用金属Au才能根本上解决该问题。

如图1所示，当使用金属Au作为电极的时候，金属Au颗粒会向上凸起，造成电极层厚度过厚，造成绝缘层开裂，如图2所示，方框处即开裂的DBR反射层。该裂缝处会在沉积第二电极层时，同样造成一定的夹角及裂缝(如图3所示)，会使绝缘层的薄膜破裂，发生漏电，导致LED芯片的失效，使用寿命降低。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种发光二极管芯片，所提供的发光二极管芯片降低和限定了第一电极的高度，大大降低了第一电极的高度，使其厚度小于1.2μm，并且第一电极层和/或第二电极层均不使用金属Au，避免了现有存在金颗粒造成的绝缘层断裂所带来的一系列问题。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

本发明所提供的一种发光二极管芯片，包括：基板，以及依次设置在所述基板上的外延结构单元以及与外延结构单元电极连接的电极结构单

元，其中，所述外延结构单元至少包括N型半导体层、有源层、P型半导5体层；所述电极结构单元至少包括依次设置的电流扩展层、第一电极层、第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层和焊盘层，

所述第一电极层的厚度小于1.2μm；

所述第一电极层和所述第二电极层不包含金属Au。

优选地，所述第一电极层中，第一电极的结构为圆台结构，所述圆台0结构的侧壁与底面的夹角为10°～35°。

优选地，所述第一电极层的厚度为

优选地，所述第一电极层和/或所述第二电极层的电极结构包括由下至上的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层；

其中，所述第一子层包括Cr、Ti、Al或Ag中的至少一种；优选为Cr5或Ti；

所述第二子层包括Al和/或Ag；

所述第三子层包括TiPt、NiPt和TiNi中的至少一种；

所述第四子层包括Cr和/或Ti。

优选地，所述第二电极层的厚度为1～3μm。

0优选地，所述焊盘层包括Cr、Ni、Ti、Pt、Sn和Au中一种或几种金属层的组合。

优选地，所述焊盘层包括单质层或合金层。