[发明专利]集成电路裸片的堆叠在审

专利信息
申请号: 202211696113.0 申请日: 2022-12-28
公开(公告)号: CN116504764A 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: I·布尔施泰因 申请(专利权)人: 迈络思科技有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/48;H01L23/31
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 徐爱萍
地址: 以色列约*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 堆叠
【权利要求书】:

1.一种电子器件,包括:

第一集成电路IC裸片,其包括在所述第一IC裸片的第一表面上以第一几何图案排列的第一组接触焊点;以及

第二IC裸片,其包括在所述第二IC裸片的第二表面上以第二几何图案排列的第二组接触焊点,所述第二几何图案是所述第一几何图案的镜像,

其中所述第二IC裸片的所述第二表面面对所述第一IC裸片的所述第一表面,并且其中所述第一组接触焊点和所述第二组接触焊点相互对齐并且安装在彼此上。

2.根据权利要求1所述的器件,其中所述第一几何图案在所述第一IC裸片的平面内在关于给定轴的反射下是非对称的,并且其中所述第二几何图案是所述第一几何图案相对于所述给定轴的镜像。

3.根据权利要求1所述的器件,其中所述第一组和所述第二组中的每组中的接触焊点包括第一类型的一个或更多个第一接触焊点和第二类型的一个或更多个第二接触焊点,并且其中,当所述第二表面面对所述第一表面时,所述第一组和所述第二组中的所述第一接触焊点安装在彼此上,并且所述第一组和所述第二组中的所述第二接触焊点安装在彼此上。

4.根据权利要求1所述的器件,其中所述第一IC裸片和所述第二IC裸片中的每个都包括第一部分和第二部分,并且其中,当所述第二表面面对所述第一表面时,所述第一组和所述第二组的所述第一部分安装在彼此上并且所述第一组和所述第二组的所述第二部分安装在彼此上。

5.根据权利要求1所述的器件,其中所述第一IC裸片包括至少具有给定层的第一组层,所述给定层包括以第一几何模型排列的第一组电路组件,并且其中所述第二IC裸片包括具有至少所述给定层的第二组层,所述给定层包括在所述第二组的所述给定层上以第二几何模型排列的第二组电路组件,所述第二几何模型是所述第一几何模型的镜像。

6.根据权利要求1所述的器件,其中所述第一IC裸片和所述第二IC裸片包括同一产品。

7.一种掩模版组,所述组包括:

用于产生第一集成电路IC裸片的至少第一掩模,所述第一掩模包括以第一几何图案排列并且被配置为使撞击在其上的光束衰减的第一组元件;以及

用于产生第二IC裸片的至少第二掩模,所述第二掩模包括第二组元件,所述第二组元件(i)以是所述第一几何图案的镜像的第二几何图案排列,并且(ii)被配置为使撞击在其上的所述光束衰减。

8.根据权利要求7所述的掩模版组,其中所述第一掩模和所述第二掩模位于所述组中不同的第一掩模版和第二掩模版中。

9.根据权利要求7所述的掩模版组,其中所述第一掩模和所述第二掩模位于所述组中同一掩模版的不同的第一部分和第二部分。

10.一种用于生产电子器件的方法,所述方法包括:

在第一集成电路IC裸片的第一表面上,产生以第一几何图案排列的第一组接触焊点;

在第二IC裸片的第二表面上,产生以第二几何图案排列的第二组接触焊点,所述第二几何图案是所述第一几何图案的镜像;

将所述第二IC裸片的所述第二表面与所述第一IC裸片的所述第一表面相对放置,使得所述第一组接触焊点和所述第二组接触焊点相互对齐;以及

将所述第一组接触焊点和所述第二组接触焊点相互耦接。

11.根据权利要求10所述的方法,其中产生所述第一组包括在所述第一IC裸片的平面内以关于给定轴的反射下的非对称图案排列所述第一几何图案,并且其中产生所述第二组包括以所述第一几何图案相对于所述给定轴的所述镜像排列所述第二几何图案。

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