[发明专利]一种带势垒层的InAsSb中波红外探测器材料结构在审
| 申请号： | 202211685526.9 | 申请日： | 2022-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN116314425A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 詹健龙;尚林涛;吴一冈 | 申请（专利权）人： | 浙江焜腾红外科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 浙江嘉腾专利代理有限公司 33515 | 代理人： | 熊亮亮 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 带势垒层 inassb 中波 红外探测器 材料 结构 | ||
1.一种带势垒层的InAsSb中波红外探测器材料结构，其特征在于，包括有从下往上依次设置的衬底、n型重掺InAsSb下电极层、n型InAsSb吸收层、AlAsSb势垒层以及n型重掺InAsSb上电极层。
2.如权利要求1所述的带势垒层的InAsSb中波红外探测器材料结构，其特征在于，所述n型重掺InAsSb下电极层是厚度为0.5μm的InAs0.91Sb0.09层，n型重掺InAsSb下电极层中掺杂有浓度为1×18cm-3的Si。
3.如权利要求1所述的带势垒层的InAsSb中波红外探测器材料结构，其特征在于，所述n型InAsSb吸收层是厚度为2-3μm的InAs0.91Sb0.09层，n型InAsSb吸收层中掺杂有浓度为1×16cm-3的Si。
4.如权利要求1所述的带势垒层的InAsSb中波红外探测器材料结构，其特征在于，所述AlAsSb势垒层B是厚度为0.1-0.2μm的AlAs0.08Sb0.82层。
5.如权利要求1中所述的带势垒层的InAsSb中波红外探测器材料结构，其特征在于，所述n型重掺InAsSb上电极层是厚度为0.1-0.3μm的InAs0.91Sb0.09层，n型重掺InAsSb上电极层中掺杂有浓度为1×18cm-3的Si。
6.如权利要求1中所述的带势垒层的InAsSb中波红外探测器材料结构，其特征在于，所述衬底为n型Te掺GaSb(100)衬底。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江焜腾红外科技有限公司，未经浙江焜腾红外科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211685526.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带有表面清理机构的全自动拉丝装置
- 下一篇：抗B7H6的抗体及其应用
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
