[发明专利]半导体晶片表面加工热解粘保护膜及其制备方法

说明书

本发明提供一种半导体晶片表面加工热解粘保护膜，由以下重量份数的组分制成：聚丙烯酸酯树脂20‑110份；固化剂0.1‑5份；催化剂0.5‑4份；热膨胀微球8‑15份；乙酸乙酯40‑100份。本发明还涉及该热解粘保护膜的制备方法。本发明形成的半导体晶片表面加工热解粘保护膜加热后即可失去粘性，使保护膜从半导体上剥离，减少产品的不良率。

技术领域

本发明涉及热解粘保护膜领域，尤其涉及一种半导体晶片表面加工热解粘保护膜及其制备方法。

背景技术

半导体晶圆切割得到半导体芯片的工艺中需要用胶带进行保护、固定和承载，热减粘保护膜在工艺使用完成后只需加热即可失去粘性，使保护膜从半导体上剥离。但现有的热解粘保护膜存在以下不足：1.加入热膨胀发泡剂后胶黏剂自身粘性降低，无法粘贴与被贴物表面；2.加热后发泡剂膨胀程度小，无法达到减粘和剥离的效果。

如此需要对现有的热解粘保护膜进行改进，设计出一种加热后减粘效果好的半导体晶片表面加工热解粘保护膜。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的第一个目的是提供一种半导体晶片表面加工热解粘保护膜，由以下重量份数的组分制成：

在一些实施例中，所述聚丙烯酸酯树脂包括：

在一些实施例中，所述固化剂为甲苯二异氰酸酯、硫代磷酸三(4-苯基异氰酸酯)、过氧化苯甲酰中的至少一种。

在一些实施例中，所述催化剂为油酸锌和/或氯化镍。

在一些实施例中，所述硬单体为甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯、甲基丙烯酸乙酰乙酰氧基乙酯、甲基丙烯酸甲氧基乙酯、甲基丙烯酸正丁酯中的至少一种。

在一些实施例中，所述软单体为甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸已酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸丁酯中的至少一种。

在一些实施例中，所述官能单体为双官能单体。

在一些实施例中，所述引发剂为4-二甲氨基-苯甲酸乙酯、α-羟烷基苯酮、偶氮二异丁腈中的至少一种。

在一些实施例中，所述溶剂为甲苯和/或乙酸乙酯。

本发明的第二个目的是提供一种如上所述的半导体晶片表面加工热解粘保护膜的制备方法，包括以下步骤：

步骤一：在聚合温度60-80℃下，向反应釜中加入溶剂，水浴加热并通入氮气排出空气，保持反应在无氧环境下进行；将硬单体、软单体、官能单体与引发剂混合，滴加至釜底，用搅拌桨不断搅拌使其充分反应，2-3h滴完，保温反应4-6h，冷却至室温，收胶以形成聚丙烯酸酯树脂；

步骤二：将聚丙烯酸酯树脂、固化剂、催化剂、乙酸乙酯按照一定比例混合均匀配制成胶粘剂，将分散均匀的热膨胀微球加入其中，涂布在PET基材上，经过50℃烘箱烘烤将溶剂烘干，贴合离型膜后放入50℃烘箱熟化。

相比现有技术，本发明的有益效果在于：本发明提供一种半导体晶片表面加工热解粘保护膜，由以下重量份数的组分制成：聚丙烯酸酯树脂20-110份；固化剂0.1-5份；催化剂0.5-4份；热膨胀微球8-15份；乙酸乙酯40-100份。本发明还涉及该热解粘保护膜的制备方法。本发明形成的半导体晶片表面加工热解粘保护膜加热后即可失去粘性，使保护膜从半导体上剥离，减少产品的不良率。

本上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例详细给出。

具体实施方式