[发明专利]半导体晶片表面加工热解粘保护膜及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体晶片表面加工热解粘保护膜，其特征在于，由以下重量份数的组分制成：

2.如权利要求1所述的半导体晶片表面加工热解粘保护膜，其特征在于，所述聚丙烯酸酯树脂包括：

3.如权利要求1所述的半导体晶片表面加工热解粘保护膜，其特征在于，所述固化剂为甲苯二异氰酸酯、硫代磷酸三(4-苯基异氰酸酯)、过氧化苯甲酰中的至少一种。

4.如权利要求1所述的半导体晶片表面加工热解粘保护膜，其特征在于，所述催化剂为油酸锌和/或氯化镍。

5.如权利要求2所述的半导体晶片表面加工热解粘保护膜，其特征在于，所述硬单体为甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯、甲基丙烯酸乙酰乙酰氧基乙酯、甲基丙烯酸甲氧基乙酯、甲基丙烯酸正丁酯中的至少一种。

6.如权利要求2所述的半导体晶片表面加工热解粘保护膜，其特征在于，所述软单体为甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸已酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸丁酯中的至少一种。

7.如权利要求1所述的半导体晶片表面加工热解粘保护膜，其特征在于，所述官能单体为双官能单体。

8.如权利要求1所述的半导体晶片表面加工热解粘保护膜，其特征在于，所述引发剂为4-二甲氨基-苯甲酸乙酯、α-羟烷基苯酮、偶氮二异丁腈中的至少一种。

9.如权利要求1所述的半导体晶片表面加工热解粘保护膜，其特征在于，所述溶剂为甲苯和/或乙酸乙酯。

10.一种如权利要求1所述的半导体晶片表面加工热解粘保护膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：在聚合温度60-80℃下，向反应釜中加入溶剂，水浴加热并通入氮气排出空气，保持反应在无氧环境下进行；将硬单体、软单体、官能单体与引发剂混合，滴加至釜底，用搅拌桨不断搅拌使其充分反应，2-3h滴完，保温反应4-6h，冷却至室温，收胶以形成聚丙烯酸酯树脂；

步骤二：将聚丙烯酸酯树脂、固化剂、催化剂、乙酸乙酯按照一定比例混合均匀配制成胶粘剂，将分散均匀的热膨胀微球加入其中，涂布在PET基材上，经过50℃烘箱烘烤将溶剂烘干，贴合离型膜后放入50℃烘箱熟化。