[发明专利]一种半导体分立器件可靠性试验电路设计方法及其电路

权利要求书

1.一种半导体分立器件可靠性试验电路设计方法，其特征在于，具体方法如下：

(1)根据半导体分立器件的特性设计器件老化电路模块；

(2)在器件老化电路模块与电源的连接通路中，设置恒流限流电路，代替传统的保险管，提高反应速度；

(3)在器件老化电路与电源的连接通路中，设置器件老化状况显示电路，根据器件在老化过程中质量的变化状况，进行不同的显示，提高过程直观监测能力，所述显示包括声音或视觉感观；

(4)在器件老化电路与电源的连接通路中，设置电流流向控制电路，对双向或多向器件的各向功能进行老化测试；

(5)器件老化电路模块通过恒流限流电路、器件老化状况显示电路，极性对称地连接到正电源与负电源或地之间，通过电源极性对调即可改变流经器件的电流方向；

所述负电源包括地。

2.如权利要求1所述的一种半导体分立器件可靠性试验电路设计方法的电路，其特征在于，包括：正电源、负电源、正向恒流模块、负向恒流模块、正向导通模块、反向导通模块、正向显示模块、反向显示模块、电路模块；

所述正电源与正向恒流模块的正极连接，正向恒流模块的负极与正向显示模块的正极连接，正向显示模块的负极与电路模块设定的连接端连接；

所述正电源与反向导通模块的负端连接，反向导通模块的正端正向显示模块的负端连接；

所述负电源与反向恒流模块的正极连接，反向恒流模块的负极与反向显示模块的正极连接，反向显示模块的负极与电路模块设定的连接端连接；

所述负电源与正向导通模块的负端连接，正向导通模块的正端与反向显示模块的负端连接；

所述负电源与正电源可根据待测器件的双向极性对调；

所述电路模块包含待测器件。

3.如权利要求2所述的一种半导体分立器件可靠性试验电路设计方法的电路，其特征在于，所述正电源为直流电源，负电源接地。

4.如权利要求2所述的一种半导体分立器件可靠性试验电路设计方法的电路，其特征在于，所述正向恒流模块和负向恒流模块采用恒流二极管。

5.如权利要求2所述的一种半导体分立器件可靠性试验电路设计方法的电路，其特征在于，所述正向导通模块和反向导通模块采用整流二极管。

6.如权利要求2所述的一种半导体分立器件可靠性试验电路设计方法的电路，其特征在于，所述电路模块为相关连接线、待测器件夹具及待测器件。

7.如权利要求2所述的一种半导体分立器件可靠性试验电路设计方法的电路，其特征在于，具体电路为：

恒流二极管Q1的正极与整流二极管D1的负极、单元电路的Port1端连接，恒流二极管Q1的负极与LED发光电极管D3的正极连接，LED发光电极管D3的负极与整流二极管D1的正极、待测器件的一端连接；待测器件的另一端与整流二极管D2的正极、LED发光电极管D4的负极连接，LED发光电极管D4的正极与恒流二极管Q2的负极连接，恒流二极管Q2的正极与整流二极管D2的负极、单元电路的Port2端连接。

8.如权利要求2所述的一种半导体分立器件可靠性试验电路设计方法的电路，其特征在于，通过对电源接口的对调，即可实现电流方向的转换。

9.如权利要求2所述的一种半导体分立器件可靠性试验电路设计方法的电路，其特征在于，对于多路阵列器件的高温反偏试验，将若干个单元电路并联在一起，即可实现多路阵列器件的高温反偏试验。

10.如权利要求2所述的一种半导体分立器件可靠性试验电路设计方法的电路，其特征在于，所述待测器件为：单向瞬态电压抑制二极管、双向瞬态电压抑制二极管、单向TVS阵列、双向TVS阵列、MOSFET管、IGBT管或三极管。