[发明专利]晶圆级堆叠多芯片的封装方法

说明书

本发明涉及芯片封装技术领域，具体公开一种晶圆级堆叠多芯片的封装方法，其包括步骤：在晶圆母片上表面切出若干个不固定厚度的单元芯片，若干个单元芯片之间的间隔不固定；然后将切后的晶圆母片上表面贴覆胶框，胶框的胶面上固定若干个凸出胶面，凸出胶面的厚度不同，将每一个凸出胶面对准贴覆到对应的单元芯片上；然后将晶圆母片的下表面薄化，薄化之后不同的单元芯片之间不再相连；且薄化之后所有单元芯片下表面在同一个水平面；然后在薄化之后的不同单元芯片的共同下表面贴覆胶框，将不同单元芯片贴覆到同一个胶框的胶面上，并将上表面的胶框、凸出胶面、胶面去除；由此形成第一组待堆叠单元芯片。

技术领域

本发明具体涉及一种晶圆级堆叠多芯片的封装方法。

背景技术

晶圆级堆叠多芯片技术受限于操作封装时晶圆又小又薄，并且相关制程设备发展慢，晶圆级堆叠多芯片技术也发展缓慢，原先晶圆级堆叠多芯片技术仅能实现逐个一对一堆叠，后来发展能够在一个晶圆上形成批量芯片，并批量堆叠封装的技术，该类技术的代表如图1，现有的晶圆级堆叠多芯片技术中其首先在胶框708上批量形成若干个第一批切后芯片72，然后将胶框708翻转再将一批量形成的若干个第二批切后芯片720统一堆叠在胶框708上的切后芯片的72上，如图2；确保一个切后芯片72与一个切后芯片720堆叠，切后芯片72与切后芯片720之间由黏着层712连接；该类技术缺点在于该类技术在每一批量形成切后芯片中只能单一形成同一厚度且同一规格的芯片，所以一块晶圆的利用率低，尤其当一块晶圆只做薄芯片时薄化过程中浪费过多。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆级堆叠多芯片的封装方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：

一种晶圆级堆叠多芯片的封装方法，包括步骤：

S1：首先在晶圆母片上表面切出若干个不固定厚度的单元芯片，若干个单元芯片之间的间隔不固定；

S2：然后将切后的晶圆母片上表面贴覆胶框，胶框的胶面上固定若干个凸出胶面，凸出胶面的厚度不同，将每一个凸出胶面对准贴覆到对应的单元芯片上，提前配置每一个凸出胶面的厚度，使得每一个凸出胶面与其贴覆单元芯片厚度总和为一个固定值；

S3：然后将晶圆母片的下表面薄化，薄化之后不同的单元芯片之间不再相连；且薄化之后所有单元芯片下表面在同一个水平面；

S4：然后在薄化之后的不同单元芯片的共同下表面贴覆胶框，将不同单元芯片贴覆到同一个胶框的胶面上，并将上表面的胶框、凸出胶面、胶面去除；由此形成第一组待堆叠单元芯片；

然后重复S1到S4步骤若干次再获取若干组堆叠单元芯片；对于每一组堆叠单元芯片将其翻转后与第一组待堆叠单元芯片堆叠，堆叠过程中n个堆叠单元芯片堆叠到m个待堆叠单元芯片上，堆叠过程次数与堆叠单元芯片组数一致；每一次堆叠过程中在堆叠的芯片之间形成热塑胶；每完成一次堆叠过程之后将参与并堆叠完成的多芯片组取出封装。

进一步，S1中本申请在晶圆母片上表面依次切出有两个第一切割单元芯片，两个第二切割单元芯片，两个第三切割单元芯片，一个第四切割单元芯片，一个第三切割单元芯片和一个第四切割单元芯片，第一切割单元芯片、第二切割单元芯片、第三切割单元芯片、第四切割单元芯片之间的间隔不固定。

进一步，S2中本申请在第一切割单元芯片、第二切割单元芯片、第三切割单元芯片、第四切割单元芯片上表面均贴覆有凸出胶面，每一个第一切割单元芯片的厚度相同，每一个第二切割单元芯片的厚度相同，每一个第三切割单元芯片的厚度相同，每一个第四切割单元芯片的厚度相同，贴覆凸出胶面之后，第一切割单元芯片的厚度+第一切割单元芯片所贴凸出胶面厚度=第二切割单元芯片的厚度+第二切割单元芯片所贴凸出胶面厚度=第三切割单元芯片的厚度+第三切割单元芯片所贴凸出胶面厚度=第四切割单元芯片的厚度+第四切割单元芯片所贴凸出胶面厚度。