[发明专利]一种存储器及电子设备

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括多个存储单元，所述存储单元包括：衬底基板，位于所述衬底基板一侧的存储电路和传输电路；所述传输电路与所述存储电路电连接；

所述存储电路用于存储数据；所述传输电路用于向所述存储电路写入数据或从所述存储电路读取数据；

所述传输电路与所述存储电路堆叠设置；

所述传输电路在所述衬底基板的正投影与所述存储电路在所述衬底基板的正投影具有交叠。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储电路包括：第一反相器和第二反相器，所述传输电路包括：第一晶体管和第二晶体管；

所述第一晶体管在所述衬底基板的正投影位于所述第一反相器在所述衬底基板的正投影内；

所述第二晶体管在所述衬底基板的正投影位于所述第二反相器在所述衬底基板的正投影内。

3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第一反相器包括：第三晶体管和第四晶体管；所述第二反相器包括：第五晶体管和第六晶体管；

所述第三晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极电连接，所述第三晶体管的漏极与所述第四晶体管的源极电连接；所述第五晶体管的栅极与所述第六晶体管的栅极电连接，所述第五晶体管的漏极与所述第六晶体管的源极电连接；所述第三晶体管的源极与所述第五晶体管的源极电连接，所述第四晶体管的漏极与所述第六晶体管的漏极电连接；

所述第一晶体管的漏极与所述第三晶体管的漏极、所述第四晶体管的源极、所述第五晶体管的栅极、所述第六晶体管的栅极电连接；

所述第二晶体管的漏极与所述第五晶体管的漏极、所述第六晶体管的源极、所述第三晶体管的栅极、所述第四晶体管的栅极电连接；

所述第一晶体管在所述衬底基板的正投影位于所述第三晶体管在所述衬底基板的正投影内；

所述第二晶体管在所述衬底基板的正投影位于所述第五晶体管在所述衬底基板的正投影内。

4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述第一晶体管位于所述第三晶体管的栅极背离所述衬底基板的一侧；所述第一晶体管在所述衬底基板的正投影位于所述第三晶体管的源极和漏极在所述衬底基板的正投影之间的区域；

所述第二晶体管位于所述第五晶体管的栅极背离所述衬底基板的一侧；所述第二晶体管在所述衬底基板的正投影位于所述第五晶体管的源极和漏极在所述衬底基板的正投影之间的区域。

5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述第一晶体管的源极和漏极与所述第三晶体管的源极和漏极同层设置；

所述第二晶体管的源极和漏极与所述第五晶体管的源极和漏极同层设置。

6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述第一晶体管的源极和漏极与所述第二晶体管的源极和漏极同层设置，所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极同层设置，所述第一晶体管的有源层与所述第二晶体管的有源层同层设置；

所述第三晶体管的源极和漏极、所述第四晶体管的源极和漏极、所述第五晶体管的源极和漏极以及所述第六晶体管的源极和漏极同层设置，所述第三晶体管的栅极、所述第四晶体管的栅极、所述第五晶体管的栅极以及所述第六晶体管的栅极同层设置，所述第三晶体管的有源层、所述第四晶体管的有源层、所述第五晶体管的有源层以及所述第六晶体管的有源层同层设置。

7.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述第一晶体管的有源层的材料和所述第二晶体管的有源层的材料包括氧化物半导体；

所述第三晶体管的有源层的材料、所述第四晶体管的有源层的材料、所述第五晶体管的有源层的材料以及所述第六晶体管的有源层的材料包括低温多晶硅。