[发明专利]一种N型半导体热电材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202211570901.5 | 申请日： | 2022-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN115811922A | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 李龙斌;石超生;曾炜;戴永强;李彬 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院化工研究所 |
| 主分类号： | H10N10/01 | 分类号： | H10N10/01;H10N10/852 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 林德强 |
| 地址： | 510665 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种N型半导体热电材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将Bi2Te3粉预先经过电热处理后，与Cu2Se粉混合压片，制成片状样品，将制好的样品，在电压和电流下，升温至250℃以上，得到所述的N型半导体热电材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电热处理包括以下步骤：将Bi2Te3粉压片制样成片状样品，然后在0-15V电压、0-0.7A电流下，升温至250℃以上。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述压片步骤为：使用压片机在16-50Mpa压力下保持5min以上，制成片状样品。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述制好的样品，在电压和电流下，升温至250-350℃，得到所述的N型半导体热电材料。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述电压为0-15V。
6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述电流为0-0.7A。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Bi2Te3粉和Cu2Se粉的质量比为(2-5)：1。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述Bi2Te3粉和Cu2Se粉的质量比为(3.5-4.5)：1。
9.一种N型半导体热电材料，其特征在于，由权利要求1至8任意一项所述的制备方法制备得到。
10.根据权利要求9所述的N型半导体热电材料，其特征在于，所述N型半导体热电材料的塞贝克系数的绝对值为70-250μV/K。
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