[发明专利]单晶硅片处理方法及装置

说明书

本发明提供了一种单晶硅片处理方法及装置，属于半导体制造技术领域。单晶硅片处理装置，包括：旋转夹持结构，用于夹持单晶硅片并带动所述单晶硅片旋转；旋转台，包括一承载平面；保护胶容器，用于存储保护胶；通过管路与所述保护胶容器连通的喷嘴，用于向所述承载平面喷射所述保护胶；移动机构，用于移动和旋转所述旋转台，并控制所述旋转台的旋转速度。本发明的技术方案能够提高单晶硅片的洁净度。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种单晶硅片处理方法及装置。

背景技术

作为当前大规模硅半导体集成电路制作用途最广的基底，硅晶圆的制造过程一般包括拉晶，切割，抛光，清洗等工序。集成电路制造领域中不同的器件制造需要不同类型的晶圆。外延片是在单晶硅片表面上沉积一层薄的单晶硅层的硅晶圆，多应用在CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)领域中。抛光片是经过抛光后的硅晶圆，多应用在NAND(Non-volatile Memory Device，非易失性存储设备)/DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)等器件上。

不管是外延片还是抛光片，随着晶圆的芯片尺寸越来越小，对单晶硅片衬底的洁净度的要求也越来越高。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种单晶硅片处理方法及装置，能够提高单晶硅片的洁净度。

为了达到上述目的，本发明实施例采用的技术方案是：

一种单晶硅片处理装置，包括：

旋转夹持结构，用于夹持单晶硅片并带动所述单晶硅片旋转；

旋转台，包括一承载平面；

保护胶容器，用于存储保护胶，所述保护胶采用疏水性材料；

通过管路与所述保护胶容器连通的喷嘴，用于向所述承载平面喷射所述保护胶；

移动机构，用于移动和旋转所述旋转台，并控制所述旋转台的旋转速度。

一些实施例中，还包括：

设置在所述管路上的阀门组件，用于控制所述保护胶的供给速度。

一些实施例中，还包括：

加热组件，用于对喷射到所述承载平面上的保护胶进行加热。

一些实施例中，所述承载平面为圆形，且所述承载平面的直径等于所述旋转夹持结构夹持的单晶硅片的直径。

一些实施例中，所述保护胶包括主剂和固化剂，所述主剂和所述固化剂的重量比为10：1～20：1，所述主剂采用疏水性材料。

本发明实施例还提供了一种单晶硅片处理方法，应用于如上所述的单晶硅片处理装置，所述方法包括：

控制所述喷嘴向所述承载平面喷射所述保护胶，同时控制所述移动机构旋转所述旋转台；

控制所述喷嘴停止喷射所述保护胶，控制所述移动机构将所述旋转台移动至所述旋转夹持结构夹持的单晶硅片在竖直方向上的下方，且所述承载平面的圆心与所述单晶硅片的圆心在竖直方向上重合；

控制所述移动机构旋转所述旋转台，同时向上移动所述旋转台，使得所述单晶硅片的背面与所述承载平面上的保护胶接触；

控制所述旋转夹持结构旋转所述单晶硅片，在所述单晶硅片的背面形成由所述保护胶组成的保护膜。

一些实施例中，控制所述喷嘴向所述承载平面喷射所述保护胶，同时控制所述移动机构旋转所述旋转台包括：