[发明专利]一种半导体存储类产品的性能测试方法及系统有效
申请号: | 202211536858.0 | 申请日: | 2022-12-02 |
公开(公告)号: | CN115543715B | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 李庭育;陈育鸣;齐元辅 | 申请(专利权)人: | 江苏华存电子科技有限公司 |
主分类号: | G06F11/22 | 分类号: | G06F11/22;G11C29/56 |
代理公司: | 南通国鑫智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 32606 | 代理人: | 吕林峰 |
地址: | 226000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 存储 类产品 性能 测试 方法 系统 | ||
1.一种半导体存储类产品的性能测试方法,其特征在于,所述方法应用于一种半导体存储类产品的性能测试系统,所述系统与数据采集装置通信连接,所述方法包括:
获得第一半导体存储产品的结构单元设计信息;
根据所述结构单元设计信息,确定第一存储类别;
按照所述第一存储类别,配置第一测试指标集,其中,所述第一测试指标集为产品测试的性能指标;
根据所述第一测试指标集和所述数据采集装置采集多组测试样本数据,获得第一测试函数,其中,所述多组测试样本数据为样本数量不相同的数据,且所述多组测试样本数据的数据量具有函数关系;
根据所述多组测试样本数据对所述第一半导体存储产品进行存储时间响应测试,输出第一响应结果,所述第一响应结果包括多组存储时间响应结果;
根据所述第一响应结果进行数据曲线拟合分析,输出第二测试函数;
通过对所述第一测试函数和所述第二测试函数进行函数比对,根据比对结果对所述第一响应结果进行标定,获得产品性能测试结果;
所述根据所述第一响应结果进行数据曲线拟合分析,输出第二测试函数,包括:
对所述多组存储时间响应结果进行响应率分析,获得第一响应曲线,其中,所述第一响应曲线为基于样本测试的均值时间速率构成的曲线;
对所述第一响应曲线进行离散度去异化处理,生成第二响应曲线;
根据所述第二响应曲线,获得第一下降速率;
以所述多组存储时间响应结果为输入变量,所述第一下降速率为输出变量进行变量关系分析,输出所述第二测试函数。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
根据所述结构单元设计信息,获得第一库数量;
根据所述结构单元设计信息,获得第一排列结构;
按照所述第一库数量和所述第一排列结构进行存储传热分析,生成第一性能影响系数;
按照所述第一性能影响系数对多组测试结果进行关联分析,输出关联分析结果。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述按照所述第一性能影响系数对多组测试结果进行关联分析,输出关联分析结果,包括:
判断所述第一性能影响系数是否满足预设影响系数;
若所述第一性能影响系数满足所述预设影响系数,调用所述第一下降速率;
按照所述第一性能影响系数对所述第一下降速率进行关联分析,输出第二下降速率;
将所述第二下降速率作为所述关联分析结果进行输出。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过对所述第一测试函数和所述第二测试函数进行函数比对,根据比对结果对所述第一响应结果进行标定,获得产品性能测试结果,包括:
根据所述第一测试函数,生成第一反测试函数,其中,所述第一反测试函数为与所述第一测试函数对应的反函数;
将所述第一反测试函数作为比对基础对所述第二测试函数 进行比对,输出第一比对结果;
根据所述第一比对结果,判断所述多组存储时间响应结果是否存在异常检测区,若存在,获得第一标定指令;
根据所述第一标定指令对所述异常检测区进行标定。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一标定指令对所述异常检测区进行标定之后,所述方法还包括:
根据所述第一标定指令对所述异常检测区进行标定,输出第一标定检测区;
根据所述第一标定检测区,输出第一测试时间节点;
根据所述第一测试时间节点配置间隔提醒信息,其中,所述间隔提醒信息包括间隔时长和间隔频率;
根据所述间隔提醒信息对所述多组测试样本数据进行存储时间响应测试的过程进行间隔提醒。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一测试时间节点配置间隔提醒信息,包括:
通过对所述第一半导体存储产品进行产品降温性能分析,获得所述间隔时长;
通过对所述第一标定检测区进行检测时长阈值检测和异常波动幅值检测,获得第一波动检测结果;
按照所述第一波动检测结果,确定所述间隔频率;
根据所述间隔时长和所述间隔频率在所述第一测试时间节点配置所述间隔提醒信息。
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