[发明专利]复合衬底及其制备方法、半导体结构

权利要求书

1.一种复合衬底的制备方法，其特征在于，包括：

形成覆盖真空腔室腔壁的环境隔离层；

提供初始衬底，并放置所述初始衬底于所述真空腔室内；

于所述初始衬底的第一表面形成外延隔离层；

于所述外延隔离层的背离所述初始衬底的表面形成外延层，获得复合衬底。

2.根据权利要求1所述的复合衬底的制备方法，其特征在于，所述提供初始衬底，包括：

提供基底；

于所述基底的背面形成阻挡层，得到所述初始衬底；

其中，所述初始衬底的第一表面为所述基底的正面。

3.根据权利要求1所述的复合衬底的制备方法，其特征在于，所述提供初始衬底，包括：

提供基底；

于所述基底的正面和背面同步形成阻挡层；

去除位于所述基底的所述正面的所述阻挡层，以保留所述基底和所述背面的所述阻挡层作为所述初始衬底；

其中，所述初始衬底的第一表面为所述基底的正面。

4.根据权利要求2或3所述的复合衬底的制备方法，其特征在于，所述提供初始衬底，还包括：于形成所述阻挡层之前，对所述基底进行RCA标准清洗。

5.根据权利要求2或3所述的复合衬底的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括氧化物层。

6.根据权利要求1~3中任一项所述的复合衬底的制备方法，其特征在于，

所述环境隔离层和所述外延隔离层均包括：无掺杂单晶硅层；

或，所述环境隔离层包括：无掺杂单晶硅层；所述外延隔离层包括：低掺杂单晶硅层。

7.根据权利要求1~3中任一项所述的复合衬底的制备方法，其特征在于，所述外延层包括掺杂单晶硅层。

8.根据权利要求1~3中任一项所述的复合衬底的制备方法，其特征在于，

所述环境隔离层的厚度的取值范围包括：0.1μm~100μm；

所述外延隔离层的厚度的取值范围包括：0.1μm~10μm；

所述外延层的厚度的取值范围包括：1μm~100μm。

9.一种复合衬底，其特征在于，包括：

基底；

阻挡层，设置于所述基底的背面；

外延隔离层，设置于所述基底的正面；

以及，外延层，设置于所述外延隔离层的背离所述基底的表面。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

如权利要求9所述的复合衬底；

以及，沟槽隔离结构，设置于所述复合衬底中，并于所述外延层中分隔出多个有源区。