[发明专利]一种新型高反射异质结电池器件结构及工艺

权利要求书

1.一种新型高反射异质结电池器件结构，其特征在于：包括硅片，在所述硅片的正面设置有上电极层，在所述硅片的背面设置有下电极层；

所述上电极层包括连接于所述硅片正面的第一薄膜层、连接于所述第一薄膜层的第二薄膜层；

所述下电极层包括连接于所述硅片背面的第三薄膜层、连接于所述第三薄膜层的第四薄膜层。

2.根据权利要求1所述的一种新型高反射异质结电池器件结构，其特征在于：所述第一薄膜层采用复合TCO薄膜结构，所述第二薄膜层采用复合TCO薄膜结构，所述第三薄膜层采用ITO薄膜，所述第四薄膜层采用铝薄膜。

3.一种新型高反射异质结电池器件工艺，其特征在于：所述制备方法应用于如权利要求1所述的一种新型高反射异质结电池器件结构，包括以下步骤：

步骤S1：将硅片清洗制绒后，在正面依次沉积本征非晶硅层和n型掺杂非晶硅层，在下表面依次沉积本征非晶硅层和p型掺杂非晶硅层；

步骤S2：在n型非晶硅上沉积所述第一薄膜层，在所述第一薄膜层上方沉积所述第二薄膜层；在p型非晶硅薄膜上沉积所述第三薄膜层，在所述第三薄膜层上镀所述第四薄膜层；

步骤S3：在所述第二薄膜层和所述第四薄膜层上分别印刷栅线，得到复合结构的异质结电池。

4.根据权利要求3所述的一种新型高反射异质结电池器件工艺，其特征在于：所述第一薄膜层采用IWO薄膜，所述第二薄膜层采用ITO－1薄膜，所述第三薄膜层采用ITO－2薄膜，所述第四薄膜层采用铝薄膜。

5.根据权利要求4所述的一种新型高反射异质结电池器件工艺，其特征在于：所述第一薄膜层的功函数为5.1－5.4eV。

6.根据权利要求5所述的一种新型高反射异质结电池器件工艺，其特征在于：所述第二薄膜层的功函数为4.2－4.7eV；所述第三薄膜层的功函数为4.2－4.7eV。

7.根据权利要求6所述的一种新型高反射异质结电池器件工艺，其特征在于：所述第四薄膜层的功函数为4.28eV。