[发明专利]一种具有部分加宽P柱结构的碳化硅超结MOSFET在审
| 申请号： | 202211453910.6 | 申请日： | 2022-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN115832051A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 伍伟;高崇兵;喻明康 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 部分 加宽 结构 碳化硅 mosfet | ||
【权利要求书】：
1.一种具有部分加宽P柱结构的碳化硅超结MOSFET，其元胞结构包括金属漏极(1)，位于金属漏极(1)上方的N+衬底(2)和部分加宽P柱结构(3)以及N柱结构(4)，所述部分加宽P柱结构(3)及N柱结构(4)上方设有多晶硅栅极(5)及栅极氧化层(6)、金属源极(7)、P型基区(8)，所述P型基区(8)上方设有N+型源区(9)与P+重掺杂区(10)，其特征在于，所述部分加宽P柱结构(3)的部分区域宽度增加并扩展到N柱结构(4)中。
2.根据权利要求1所述的具有部分加宽P柱结构的碳化硅超结MOSFET，其特征在于，部分加宽P柱结构(3)的加宽部分宽度为整个P柱宽度的30％。
3.根据权利要求1所述的具有部分加宽P柱结构的碳化硅超结MOSFET，其特征在于，部分加宽P柱结构(3)的加宽部分位于P柱结构的中心处。
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