[发明专利]发光二极管阵列基板在审
申请号: | 202211410925.4 | 申请日: | 2022-11-11 |
公开(公告)号: | CN115763679A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 李冠谊;陈韦洁;杨智钧;白佳蕙 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王锐 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 阵列 | ||
1.一种发光二极管阵列基板,包括:
基底;
粘着层,设置于该基底上,其中该粘着层包括多个粘着结构,且该些粘着结构的每一者具有彼此隔开的第一凸起及第二凸起;以及
多个发光二极管元件,其中该些粘着结构位于该些发光二极管元件与该基底之间,该些发光二极管元件的每一者的第一电极及第二电极分别连接至该些粘着结构的一者的该第一凸起及该第二凸起。
2.如权利要求1所述的发光二极管阵列基板,其中该些粘着结构的每一者还具有平台,该第一凸起及该第二凸起设置于该平台上,且该平台位于该第一凸起与该基底之间以及该第二凸起与该基底之间。
3.如权利要求2所述的发光二极管阵列基板,其中该些粘着结构的多个平台彼此断开。
4.如权利要求2所述的发光二极管阵列基板,其中该些发光二极管元件的每一者包括:
第一型半导体层;
第二型半导体层;
主动层,设置于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间,其中该第一型半导体层、该第二型半导体层及该主动层形成半导体结构;以及
绝缘层,设置于该半导体结构上,且具有分别重叠于该第一型半导体层及该第二型半导体层的第一接触窗及第二接触窗,其中该第一电极及该第二电极分别通过该绝缘层的该第一接触窗及该第二接触窗电连接至该第一型半导体层及该第二型半导体层;
该绝缘层与该些粘着结构的一者的该平台之间存在第一空气间隙。
5.如权利要求4所述的发光二极管阵列基板,其中该第一空气间隙位于该第一电极与该第二电极之间以及该第一凸起与该第二凸起之间。
6.如权利要求5所述的发光二极管阵列基板,其中该绝缘层与该些粘着结构的该者的该平台之间还存在第二空气间隙,且该第一电极及该第一凸起位于该第一空气间隙与该第二空气间隙之间。
7.如权利要求6所述的发光二极管阵列基板,其中该绝缘层与该些粘着结构的该者的该平台之间还存在第三空气间隙,且该第二电极及该第二凸起位于该第一空气间隙与该第三空气间隙之间。
8.如权利要求1所述的发光二极管阵列基板,其中该粘着层还包括位于该些粘着结构外的对位标记。
9.一种发光二极管阵列基板,包括:
基底;
粘着层,设置于该基底上;
多个发光二极管元件,设置于该粘着层上;以及
多个粘着结构,分别设置于该些发光二极管元件上,其中该些粘着结构的每一者具有朝向该粘着层的第一表面,该第一表面具有彼此隔开的第一凸起及第二凸起;该些发光二极管元件的每一者具有第一电极及第二电极,且该第一电极及该第二电极分别连接至该些粘着结构的一者的该第一凸起及该第二凸起。
10.如权利要求9所述的发光二极管阵列基板,其中该些粘着结构的每一者还具有平台,且该第一凸起及该第二凸起位于该平台与该粘着层之间。
11.如权利要求10所述的发光二极管阵列基板,其中该些粘着结构的多个平台彼此断开。
12.如权利要求10所述的发光二极管阵列基板,其中该些发光二极管元件的每一者包括:
第一型半导体层;
第二型半导体层;
主动层,设置于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间,其中该第一型半导体层、该第二型半导体层及该主动层形成半导体结构;以及
绝缘层,设置于该半导体结构上,且具有分别重叠于该第一型半导体层及该第二型半导体层的第一接触窗及第二接触窗,其中该第一电极及该第二电极分别通过该绝缘层的该第一接触窗及该第二接触窗电连接至该第一型半导体层及该第二型半导体层;
该绝缘层与该些粘着结构的一者的该平台之间存在第一空气间隙。
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