[发明专利]SJ-IGBT器件及其形成方法

权利要求书

1.一种SJ-IGBT器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

向所述半导体衬底内进行P型体区离子注入，以形成P型体掺杂区；

在所述半导体衬底内形成P型柱体，其中，所述P型柱体的顶部表面与所述半导体衬底的表面之间的第一距离大于所述P型体掺杂区的底部表面与所述半导体衬底的表面之间的第二距离；

形成介质层，所述介质层覆盖所述P型体掺杂区以及P型柱体，并对相邻的P型体掺杂区与P型柱体进行隔离。

2.根据权利要求1所述的SJ-IGBT器件的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底内形成P型柱体，包括：

形成P型柱体材料层，所述P型柱体材料层的顶部表面与所述半导体衬底表面齐平或者高于所述半导体衬底的表面；

对所述P型柱体材料层进行回刻蚀，以得到所述P型柱体。

3.根据权利要求2所述的SJ-IGBT器件的形成方法，其特征在于，形成P型柱体材料层，包括：

对所述半导体衬底进行刻蚀，以得到P型柱体沟槽；

在所述P型柱体沟槽内形成P型柱体材料；

对所述P型柱体材料进行平坦化处理，以得到所述P型柱体材料层。

4.根据权利要求2所述的SJ-IGBT器件的形成方法，其特征在于，对所述P型柱体材料层进行回刻蚀，包括：

采用干法刻蚀工艺，对所述P型柱体材料层进行回刻蚀；

其中，所述干法刻蚀工艺的刻蚀厚度基于所述第二距离确定，所述第二距离越大，所述刻蚀厚度越大。

5.根据权利要求1所述的SJ-IGBT器件的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：

在向所述半导体衬底内进行P型体区离子注入之前，在所述半导体衬底内形成栅极结构。

6.根据权利要求1所述的SJ-IGBT器件的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：

在向所述半导体衬底内进行P型体区离子注入之后，以及在所述半导体衬底内形成P型柱体之前，在所述半导体衬底内形成栅极结构。

7.根据权利要求1所述的SJ-IGBT器件的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述半导体衬底内形成P型柱体之后，以及在形成所述介质层之前，在所述半导体衬底内形成栅极结构。

8.一种SJ-IGBT器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

P型体掺杂区，位于所述半导体衬底内；

P型柱体，位于所述半导体衬底内，其中，所述P型柱体的顶部表面与所述半导体衬底的表面之间的第一距离大于所述P型体掺杂区的底部表面与所述半导体衬底的表面之间的第二距离；

介质层，覆盖所述P型体掺杂区以及P型柱体，并对相邻的P型体掺杂区与P型柱体进行隔离。

9.根据权利要求8所述的SJ-IGBT器件，其特征在于，还包括：

栅极结构，位于所述半导体衬底内；

其中，所述栅极结构是在形成所述P型体掺杂区之前形成的。

10.根据权利要求8所述的SJ-IGBT器件，其特征在于，还包括：

栅极结构，位于所述半导体衬底内；

其中，所述栅极结构是在形成所述P型体掺杂区之后，以及形成所述P型柱体之前形成的。

11.根据权利要求8所述的SJ-IGBT器件，其特征在于，还包括：

栅极结构，位于所述半导体衬底内；

其中，所述栅极结构是在形成所述P型柱体之后，以及在形成所述介质层之前形成的。