[发明专利]BCD器件

说明书

本申请实施例提供了一种BCD器件，涉及半导体技术领域。该BCD器件包括：衬底区；多个VDMOS器件单元，铺设于所述衬底表面，其中，每个所述VDMOS器件单元中至少包括第一浓度掺杂埋区与浓度大于所述第一浓度掺杂埋区的第二浓度掺杂埋区，各所述第一浓度掺杂埋区的厚度不完全相同。解决了目前的具有不同耐压等级MOS器件的BCD器件的表面积利用率较低的技术问题，达到了提高BCD器件的表面积利用率的技术效果。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种BCD器件。

背景技术

BCD(bipolar CMOS DMOS)器件是指将双极管bipolar、CMOS器件与DMOS器件集成到一张芯片上的半导体器件，它综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗优点，以及DMOS器件高压大电流驱动等优点。

随着BCD器件的发展，在某些环境中需要用到不同耐压等级的MOS器件，传统做法是采用LDMOS(laterally-diffused metal-oxide semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体)器件，但是LDMOS器件的漏极与源极电压主要依靠横向漂移区承担，面积占比大；但是VDMOS(vertical double-deffused metal oxide semiconductor，垂直双扩散金属氧化物半导体)器件无法将不同耐压等级MOS器件集成至同一单片上。

因此，目前的具有不同耐压等级MOS器件的BCD器件的表面积利用率较低。

发明内容

为了解决上述技术问题，本申请实施例中提供了一种BCD器件，包括：

衬底区；

多个VDMOS器件单元，铺设于衬底表面，其中，每个VDMOS器件单元中至少包括第一浓度掺杂埋区与浓度大于第一浓度掺杂埋区的第二浓度掺杂埋区，各第一浓度掺杂埋区的厚度不完全相同。

在本申请一个可选实施例中，第一浓度掺杂埋区的厚度与所在的VDMOS器件单元的预设耐压大小呈正相关。

在本申请一个可选实施例中，第一浓度掺杂埋区的厚度与所在的VDMOS器件单元的预设耐压大小的正相关系数为0.01～0.6um/10V。

在本申请一个可选实施例中，BCD器件为双极结型晶体管HBT、绝缘栅双极型晶体管IGBT与分离栅晶体管SGT中的至少一种。

在本申请一个可选实施例中，衬底区与第二浓度掺杂埋区之间设置有一层轻掺杂缓冲层。

在本申请一个可选实施例中，至少一个VDMOS器件单元开设有至少一个第一通孔，第一通孔贯穿VDMOS器件单元并延伸至第二浓度掺杂埋区，且第一通孔中至少填充有导电材料。

在本申请一个可选实施例中，第一通孔内壁与由导电材料构成的填充物之间设置有一层金属硅化物层。

在本申请一个可选实施例中，第一通孔的数量与VDMOS器件单元的数量呈正相关；和/或，第一通孔的深度与VDMOS器件单元的数量呈正相关。

在本申请一个可选实施例中，衬底区为P型衬底，第一通孔在第二浓度掺杂埋区的深度不大于第二浓度掺杂埋区厚度的95％。

在本申请一个可选实施例中，衬底区为N型衬底，第一通孔在第二浓度掺杂埋区的深度不大于第二浓度掺杂埋区厚度。

在本申请一个可选实施例中，BCD器件外缘部分环形开设有一第二通孔，其中，第二通孔的第一端贯穿BCD器件的表面并延伸至衬底区；第二通孔内填充有金属材料。