[发明专利]BCD器件

权利要求书

1.一种BCD器件，其特征在于，包括：

衬底区；

多个VDMOS器件单元，铺设于所述衬底表面，其中，每个所述VDMOS器件单元中至少包括第一浓度掺杂埋区与浓度大于所述第一浓度掺杂埋区的第二浓度掺杂埋区，各所述第一浓度掺杂埋区的厚度不完全相同。

2.根据权利要求1所述的BCD器件，其特征在于，所述第一浓度掺杂埋区的厚度与所在的所述VDMOS器件单元的预设耐压大小呈正相关。

3.根据权利要求2所述的BCD器件，其特征在于，所述第一浓度掺杂埋区的厚度与所在的所述VDMOS器件单元的所述预设耐压大小的正相关系数为0.01～0.6um/10V。

4.根据权利要求1所述的BCD器件，其特征在于，所述BCD器件为双极结型晶体管HBT、所述绝缘栅双极型晶体管IGBT与分离栅晶体管SGT中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的BCD器件，其特征在于，所述衬底区与所述第二浓度掺杂埋区之间设置有一层轻掺杂缓冲层。

6.根据权利要求1所述的BCD器件，其特征在于，至少一个所述VDMOS器件单元开设有至少一个第一通孔，所述第一通孔贯穿所述VDMOS器件单元并延伸至所述第二浓度掺杂埋区，且所述第一通孔中至少填充有导电材料。

7.根据权利要求6所述的BCD器件，其特征在于，所述第一通孔内壁与由所述导电材料构成的填充物之间设置有一层金属硅化物层。

8.根据权利要求6所述的BCD器件，其特征在于，所述第一通孔的数量与所述VDMOS器件单元的数量呈正相关；和/或，所述第一通孔的深度与所述VDMOS器件单元的数量呈正相关。

9.根据权利要求6所述的BCD器件，其特征在于，所述衬底区为P型衬底，所述第一通孔在所述第二浓度掺杂埋区的深度不大于所述第二浓度掺杂埋区厚度的95％。

10.根据权利要求6所述的BCD器件，其特征在于，所述衬底区为N型衬底，所述第一通孔在所述第二浓度掺杂埋区的深度不大于所述第二浓度掺杂埋区厚度。

11.根据权利要求1所述的BCD器件，其特征在于，所述BCD器件外缘部分环形开设有一第二通孔，其中，所述第二通孔的第一端贯穿所述BCD器件的表面并延伸至所述衬底区；所述第二通孔内填充有金属材料。