[发明专利]一种栅对准选区JFET注入的VDMOSFET器件及其制备方法

权利要求书

1.一种栅对准选区JFET注入的VDMOSFET器件的制备方法；其特征在于，包括：

在N+衬底(1)上外延形成N-漂移区(2)，在所述N-漂移区(2)上淀积SiO₂层(201)；

在所述SiO₂层(201)上使用预设的多晶硅栅(7)的掩膜版形成反转胶图形(202)；

刻蚀所述反转胶图形(202)之间的所述SiO₂层(201)，形成凹槽(2011)；

在所述SiO₂层(201)上表面及所述凹槽(2011)中进行离子注入以在所述凹槽(2011)下方形成JFET区(3)；

在所述N-漂移区(2)上方依次形成SiO₂栅氧化层(6)和多晶硅栅(7)；

利用所述多晶硅栅(7)进行自对准离子注入，并退火推结，以在所述JFET区(3)两侧分别形成一个P阱(4)，在每个P阱(4)上表面进行离子注入及退火推结，形成N+源区(5)；

在所述SiO₂栅氧化层(6)和多晶硅栅(7)上淀积形成层间介质(8)，以覆盖所述SiO₂栅氧化层(6)以及所述多晶硅栅(7)的上表面和侧面，并在整个器件的上表面形成源极；

在所述N+衬底(1)背面形成漏极(10)。

2.根据权利要求1所述的栅对准选区JFET注入的VDMOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述在所述SiO₂层(201)上使用预设的多晶硅栅(7)的掩膜版形成反转胶图形(202)，包括：

将预设的多晶硅栅(7)的掩膜版中多晶硅栅(7)的图像置于所述SiO₂层(201)的中心位置，使用所述多晶硅栅(7)的掩膜版在所述SiO₂层(201)上进行反转光刻，并进行曝光、显影，形成反转胶图形(202)。

3.根据权利要求1所述的栅对准选区JFET注入的VDMOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述反转胶图形(202)之间的所述SiO₂层(201)，形成凹槽(2011)，包括：

刻蚀位于所述反转胶图形(202)之间的所述SiO₂层(201)，形成凹槽(2011)，所述凹槽(2011)的底部与所述N-漂移区(2)的上表面平齐。

4.根据权利要求1所述的栅对准选区JFET注入的VDMOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述在所述SiO₂层(201)上表面及所述凹槽(2011)中进行离子注入以在所述凹槽(2011)下方形成JFET区(3)，包括：

去除所述反转胶图形(202)，在所述SiO₂层(201)上表面以及所述凹槽(2011)上方进行离子注入，并退火推结形成JFET区(3)，去除所述SiO₂层(201)。

5.根据权利要求4所述的栅对准选区JFET注入的VDMOSFET器件的制备方法，其特征在于，在所述SiO₂层(201)上表面以及所述凹槽(2011)上方进行离子注入，包括：

在所述SiO₂层(201)上表面以及所述凹槽(2011)上方注入与所述N-漂移区(2)的掺杂类型相同的离子，并且，在所述SiO₂层(201)上表面以及所述凹槽(2011)上方注入的离子掺杂浓度大于所述N-漂移区(2)的掺杂浓度。