[发明专利]一种电容器制作方法及电容器

权利要求书

1.一种电容器制备方法，其特征在于，包括：

将绝缘基板研磨至设定厚度并进行抛光，获得处理后的绝缘基板；

在所述绝缘基板的上表面和下表面分别沉积导电电极；

对所述绝缘基板上表面沉积的导电电极和下表面沉积的导电电极进行刻蚀，分别获得所述绝缘基板上表面的第二导电电极和下表面的第三导电电极；

在完成所述第二导电电极和所述第三导电电极刻蚀的所述绝缘基板的上表面和下表面分别沉积第一绝缘介质层和第二绝缘介质层；

对所述第一绝缘介质层沉积的导电电极和所述第二绝缘介质层沉积的导电电极进行刻蚀，分别获得所述第一绝缘介质上的第一导电电极和所述第二绝缘介质层上的第四导电电极；

在所述第一导电电极上覆盖第一薄膜层，在所述第四导电电极上覆盖第二薄膜层，获得初步结构的电容器；

在所述初步结构的电容器的一端覆盖第一端电极，在所述初步结构的电容器的另一端覆盖第二端电极；所述第一端电极分别与所述第一导电电极和所述第四导电电极连接，所述第二端电极分别与所述第二导电电极和所述第三导电电极连接，或者所述第一端电极分别与所述第一导电电极和所述第三导电电极连接，所述第二端电极分别与所述第二导电电极和所述第四导电电极连接。

2.根据权利要求1所述的电容器制备方法，其特征在于，当所述第一端电极分别与所述第一导电电极和所述第四导电电极连接，所述第二端电极分别与所述第二导电电极和所述第三导电电极连接时，所述第一端电极与所述第二导电电极和所述第三导电电极的距离均为60μm，所述第二端电极与所述第一导电电极和所述第四导电电极的距离均为60μm。

3.根据权利要求1所述的电容器制备方法，其特征在于，所述绝缘基板的材料为光敏玻璃、钛酸锶、氮化铝或碳化硅。

4.根据权利要求1所述的电容器制备方法，其特征在于，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层的材料为聚酰亚胺。

5.根据权利要求1所述的电容器制备方法，其特征在于，所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层的材料为氧化硅、氮化硅、氮化铝或者氧化铝。

6.根据权利要求1所述的电容器制备方法，其特征在于，所述设定厚度为250μm。

7.根据权利要求1所述的电容器制备方法，其特征在于，所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层的厚度为100nm。

8.一种电容器，其特征在于，利用如权利要求1-7所述的电容器制备方法制备所述电容器，所述电容器包括：从上而下依次层叠设置的第一薄膜层、第一导电电极、第一绝缘介质层、第二导电电极、绝缘基板、第三导电电极、第二绝缘介质层、第四导电电极和第二薄膜层，所述电容器还包括第一端电极和第二端电极；

当所述第一端电极分别与所述第一导电电极和所述第四导电电极连接，所述第二端电极分别与所述第二导电电极和所述第三导电电极连接时，所述第一导电电极、所述第一绝缘介质层和所述第二导电电极构成第一电容，所述第三导电电极、所述第二绝缘介质层和所述第四导电电极构成第二电容，所述第一电容和所述第二电容并联连接；

当所述第一端电极分别与所述第一导电电极和所述第三导电电极连接，所述第二端电极分别与所述第二导电电极和所述第四导电电极连接时，所述第二导电电极、所述绝缘基板和所述第三导电电极构成第三电容，所述第一导电电极、所述第一绝缘介质层和所述第二导电电极构成第四电容，所述第三导电电极、所述第二绝缘介质层和所述第四导电电极构成第五电容，所述第三电容、所述第四电容和所述第五电容并联连接。