[发明专利]显示装置

说明书

本发明涉及显示装置。要解决的课题在于提高使用氧化物半导体的TFT的可靠性。显示装置的特征在于，包含具有形成有多个像素的显示区域的基板，所述像素包含使用了第一氧化物半导体(12)的第一TFT，在所述第一氧化物半导体(12)之上，形成第一栅极绝缘膜(13)，所述第一栅极绝缘膜(13)由第一硅氧化膜(131)与第一铝氧化膜(132)的层叠构造形成，在所述第一铝氧化膜(131)之上形成有第一栅电极(14)。

本申请是申请日为2018年2月26日、发明名称为“显示装置”的中国发明专利申请No.201810159539.X的分案申请

技术领域

本发明涉及显示装置、特别是涉及具有使用氧化物半导体的TFT的显示装置。

背景技术

在液晶显示装置、有机EL显示装置中，在各像素的开关元件、驱动电路中使用了薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)。在TFT中，使用了a-Si(非晶硅)、Poly-Si(PolySlicion：多晶硅)、或氧化物半导体等。

非晶硅由于迁移率小，因此当将使用非晶硅的TFT在周边驱动电路中使用时，存在问题。多晶硅的迁移率大、可将使用多晶硅的TFT用在周边驱动电路中，但当用作像素的开关元件时，存在漏电流大的问题。对于氧化物半导体而言，其迁移率比非晶硅大，另外，漏电流也小，但在与膜缺陷的控制相关的可靠性中存在课题。

专利文献1记载了用无机绝缘膜(例如氧化铝膜、氧化钛膜、或氧化铟膜)覆盖包含栅电极且由氧化物半导体形成的TFT整体的构成。

专利文献2中记载了下述构成：为了提高使用氧化物半导体的TFT的性能，而将栅极绝缘膜减薄，利用这种情况下的隧道效应来抑制栅极泄露。作为栅极绝缘膜，使用介电常数高的氧化铪、氧化钽等高介电常数材料，将包含氧化硅、氮化硅、氧化铝等的膜层叠与其层叠。

专利文献3中记载了下述构成：为了使使用氧化物半导体的TFT的特性变得稳定，在沟道部(channel portion)用无机绝缘膜夹持氧化物半导体。作为这种情况下的无机绝缘膜，例示了氧化铝、氧化钛、氧化铟等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-15436号公报

专利文献2：日本特开2015-92638号公报

专利文献3：WO2010/041686号公报

发明内容

发明要解决的课题

作为氧化物半导体，有IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide：铟镓锌氧化物)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide：铟锡锌氧化物)、ZnON(Zinc Oxide Nitride：氮氧化锌)、IGO(Indium Gallium Oxide：铟镓氧化物)等。由于这些氧化物半导体是透明的，因此，有时也被称为TAOS(Transparent Amorphous Oxide Semiconductor：透明非晶氧化物半导体)。需要说明的是，例如IGZO等为In：Ga：Zn＝1：1：1的情况居多，但在本说明书中，也包括偏离该比例的情况。

对于使用氧化物半导体的TFT而言，能够通过氧化物半导体中的氧量、或与氧化物半导体接触的绝缘膜中的氧量来调节初始特性，但可靠性的控制是困难的。尤其是，若增加绝缘膜的氧量，则绝缘膜中的缺陷增加。因而，初始特性与可靠性形成权衡的关系。

另外，即便在初始时控制氧化物半导体中的氧的量，也会存在上述氧在工作寿命中逐渐脱除、从而发生TFT特性变动这样的问题。

本发明的课题在于，提供一种显示装置，其能够确保使用氧化物半导体的TFT的初始特性和工作寿命中的可靠性这两者，且初始特性和可靠性优异。