[发明专利]显示装置在审
| 申请号： | 202211306654.8 | 申请日： | 2018-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN115498028A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 山口阳平;铃村功 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/49;H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 牛蔚然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
1.显示装置的制造方法，其是具有多个薄膜晶体管的显示装置的制造方法，其特征在于，具有：
在TFT基板上形成氧化物半导体的工序；
在所述氧化物半导体之上形成硅氧化膜的工序；
在所述硅氧化膜上形成铝氧化膜的工序；
在所述氧化物半导体之上形成栅电极的工序；和
在所述栅电极之上形成层间绝缘膜的工序，
其中，所述铝氧化膜的膜厚为1至20nm。
2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，在所述硅氧化膜与所述层间绝缘膜之间除去第一铝氧化膜。
3.如权利要求2所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述硅氧化膜的缺陷密度低于所述层间绝缘膜的缺陷密度，
经ESR分析，所述硅氧化膜的缺陷密度为1×1018以下，其单位为spins/cm3。
4.如权利要求3所述的显示装置的制造方法，其特征在于，经TDS分析，在M/z＝32的条件下，所述硅氧化膜的氧(O2)放出量在100℃至250℃为1×1015以上，其单位为molec./cm2。
5.显示装置的制造方法，其是具有多个薄膜晶体管的显示装置的制造方法，其特征在于，具有：
在TFT基板上形成第一铝氧化膜的工序；
在所述第一铝氧化膜之上形成氧化物半导体的工序；
在所述氧化物半导体之上形成硅氧化膜的工序；
在所述硅氧化膜上形成第二铝氧化膜的工序；
在所述氧化物半导体之上形成栅电极的工序；和
在所述栅电极之上形成层间绝缘膜的工序，
其中，所述第一铝氧化膜或所述第二铝氧化膜的膜厚为1至20nm。
6.如权利要求5所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
将所述硅氧化膜与所述层间绝缘膜之间的铝氧化膜除去。
7.如权利要求6所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
所述硅氧化膜的缺陷密度低于所述层间绝缘膜的缺陷密度，
经ESR分析，所述硅氧化膜的缺陷密度为1×1018以下，其单位为spins/cm3。
8.如权利要求7所述的显示装置的制造方法，其特征在于，经TDS分析，在M/z＝32的条件下，所述硅氧化膜的氧(O2)放出量在100℃至250℃为1×1015以上，其单位为molec./cm2。
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