[发明专利]研磨轮、研磨设备及硅片有效
申请号: | 202211301302.3 | 申请日: | 2022-10-24 |
公开(公告)号: | CN115365922B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 贺云鹏;王贺 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟材料科技有限公司 |
主分类号: | B24B7/22 | 分类号: | B24B7/22;B24B37/10;B24B37/005;B24B49/16 |
代理公司: | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人: | 侯丽丽;沈寒酉 |
地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨 设备 硅片 | ||
本发明实施例公开了研磨轮、研磨设备及硅片,所述研磨轮包括:具有中心轴线的基座;沿周向方向分布在所述基座的与所述中心轴线垂直的一个表面上并且从所述表面伸出的多个研磨齿,所述多个研磨齿设置成能够与所述基座一起绕所述基座的中心轴线旋转,以通过每个研磨齿的末端对硅片的处于目标平面中的表面进行研磨;驱动模块,所述驱动模块设置成:当所述基座的中心轴线不与所述目标平面垂直时,所述驱动模块使每个研磨齿沿所述中心轴线移动,以使得每个研磨齿的末端总是处于所述目标平面中。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及研磨轮、研磨设备及硅片。
背景技术
半导体硅片的生产工艺通常包括拉晶、线切割、研磨、抛光等处理过程。双面研磨作为一种研磨工艺用于同时对硅片的两个主表面进行研磨以使硅片具有高度平整表面。在双面研磨过程中,需要使用专用装置来保持硅片,以便于研磨轮对硅片的两个主表面同时进行研磨。通常,这种保持装置包括对向设置的一对流体静压支撑件,硅片沿竖向方向设置在两个流体静压支撑件之间,流体静压支撑件可以在其自身与硅片的主表面之间形成流体屏障,以便使硅片能够在不与两个流体静压支撑件相接触的情况下被保持竖立,与此同时,可以利用对置的研磨轮对硅片的两个主表面进行研磨。相比于物理夹持,流体静压支撑件的流体夹持方式减少了对硅片的损伤,并使得硅片以较小的摩擦相对于流体静压支撑件表面在切向上移动(转动)。
然而,对于上述双面研磨工艺而言,随着设备的连续操作及研磨水的持续供应,研磨室温度会不断发生变化,导致金属磨床的床体发生一定的形变,由于左、右研磨轮通过支撑杆固定在磨床上,一旦磨床发生形变,将导致左、右研磨轮相对于硅片的接触位置随之发生变化,也就是说研磨位置发生了变化,当实际研磨位置没有达到预期要求时,不仅会影响研磨效率,还可能降低研磨后的硅片的平坦度。
因此,在双面研磨过程中,实时调整研磨轮的研磨齿相对于硅片的位置关系,以确保左、右研磨轮持续保持在能够实现较佳研磨效果的位置范围内,对提升研磨效率和研磨效果而言非常重要。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例期望提供研磨轮、研磨设备及硅片,通过使用该研磨轮能够调整研磨轮、特别是研磨轮的研磨齿相对于硅片的待研磨表面的位置,使得即使研磨轮因磨床的形变而发生位置变化,研磨轮的研磨齿仍持续保持在能够实现较佳研磨效果的位置范围内,从而保证研磨效率和研磨效果。
本发明的技术方案是这样实现的:
第一方面,本发明实施例提供了一种研磨轮,所述研磨轮包括:
具有中心轴线的基座;
沿周向方向分布在所述基座的与所述中心轴线垂直的一个表面上并且从所述表面伸出的多个研磨齿,所述多个研磨齿设置成能够与所述基座一起绕所述基座的中心轴线旋转,以通过每个研磨齿的末端对硅片的处于目标平面中的表面进行研磨;
驱动模块,所述驱动模块设置成:当所述基座的中心轴线不与所述目标平面垂直时,所述驱动模块使每个研磨齿沿所述中心轴线移动,以使得每个研磨齿的末端总是处于所述目标平面中。
第二方面,本发明实施例提供了一种研磨设备,所述研磨设备用于对硅片进行双面研磨,所述研磨装置包括:
对向设置在硅片的两侧的两个静压支撑件,所述两个静压支撑件用于通过提供流体静压以非接触的方式支撑硅片;
对向设置在所述硅片的两侧的两个根据第一方面的研磨轮。
第三方面,本发明实施例提供了一种硅片,所述硅片通过使用根据第二方面的研磨设备获得。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安奕斯伟材料科技有限公司,未经西安奕斯伟材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211301302.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用于车辆的升降系统
- 下一篇:一种汽车线路紧急保护装置及其使用方法