[发明专利]封装发光单元、显示装置和封装发光单元的制作方法

说明书

本申请公开了一种封装发光单元、显示装置和封装发光单元的制作方法，封装发光单元至少包括衬底单元、位于衬底单元上的驱动电路单元、以及与驱动电路单元叠加或者并排设置的至少一个发光芯片；其中，至少一个发光芯片与驱动电路单元电连接。本申请可以大幅降低新产品的开发成本和提高背板良率，还可以解决发光芯片分Bin困难的问题。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种封装发光单元、显示装置和封装发光单元的制作方法。

背景技术

微发光二极管(Micro LED)因为具有自发光无需背光源的特性，且具有节能、机构简易、体积小、以及薄型等优势，是继OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)之后另一具轻薄及省电优势的显示技术。Micro LED作为新一代的显示技术，比现有的OLED亮度更高、发光效率更好且功率更低。近年来，由于具有上述优异的特性，Micro LED显示技术受到越来越广泛的关注。

但是，Micro LED由于芯片尺寸小且光学分Bin(Bin Code档次范围)困难，目前业内还未找到很好的针对Micro LED芯片进行分Bin的方法。同时，开发相应的TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)基板(或背板)时发现，当需求的屏幕尺寸发生较小变化时就需要改变用于制作新的TFT基板的Mask(光罩)的设计，导致面板厂开发新产品的成本一直居高不下且不利于保证TFT基板的良率。

发明内容

本申请提供一种封装发光单元、显示装置和封装发光单元的制作方法，可以通过将多个封装发光单元拼接键合在结构简单的背板上实现不同尺寸的显示产品的显示或背光功能，使得新产品的开发成本大幅降低且背板良率有保证，还可以解决小尺寸发光芯片分Bin困难的问题。

本申请提供一种封装发光单元，用于拼接设置在背板上，所述封装发光单元至少包括：

衬底单元；

驱动电路单元，位于所述衬底单元上；

至少一个发光芯片，位于所述驱动电路单元上，或者与所述驱动电路单元并排设置在所述衬底基板上；其中，所述至少一个发光芯片与所述驱动电路单元电连接。

可选地，所述封装发光单元还包括位于所述驱动电路单元远离所述衬底单元一侧的第一膜层；所述第一膜层上设有裸露出所述至少一个发光芯片的开口；

其中，所述第一膜层对光线的反射率小于所述驱动电路单元对光线的反射率。

可选地，所述第一膜层的颜色为灰色。

可选地，所述开口的侧壁与所述发光芯片之间的间距大于0；所述第一膜层靠近所述发光芯片一侧的侧面与所述第一膜层的底面之间的夹角为锐角；

所述封装发光单元还包括至少位于所述第一膜层和所述发光芯片之间且覆盖所述发光芯片的第二膜层；所述第二膜层的折射率大于所述第一膜层的折射率。

可选地，所述第一膜层的折射率范围为1.4至1.5，所述第二膜层的折射率大于1.6。

可选地，所述第一膜层靠近所述发光芯片一侧的侧面与所述第一膜层的底面之间的夹角范围为30°至75°。

可选地，所述第一膜层在所述衬底单元上的正投影与所述发光芯片在所述衬底单元上的正投影之间的间距范围为0.5um至5um。

可选地，所述第一膜层的厚度大于或等于所述发光芯片的厚度，且所述第一膜层的厚度范围为2um至20um，且每1微米厚度的所述第一膜层的光学密度大于0.2。

可选地，所述第一膜层与所述发光芯片之间的厚度差的范围为1um至5um。

可选地，所述第二膜层具有大于H的铅笔硬度，且所述第二膜层上的水滴接触角大于100°。