[发明专利]环境电容的确定、检测方法和系统、芯片、电子设备在审
申请号: | 202211291506.3 | 申请日: | 2022-10-20 |
公开(公告)号: | CN115684734A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 洪聪;程涛;刘业凡;张荣生;谢伟军;张忠 | 申请(专利权)人: | 上海艾为电子技术股份有限公司 |
主分类号: | G01R27/26 | 分类号: | G01R27/26 |
代理公司: | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人: | 汤金燕 |
地址: | 201100 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 环境 电容 确定 检测 方法 系统 芯片 电子设备 | ||
1.一种环境电容的确定方法,其特征在于,用于确定电容式芯片在接近检测过程中采用的当前环境电容;所述确定方法包括:
获取第一接近电容;
根据所述第一接近电容与预设的第一环境电容确定第一差值,所述第一环境电容为所述电容式芯片在无干扰环境下获得的电容参数,所述第一差值用于识别所述第一接近电容是否对应对象接近;
根据所述第一差值与第一阈值之间的关系选择所述电容式芯片当前环境电容的确定方式,以根据所述确定方式确定所述电容式芯片的当前环境电容,所述第一阈值用于识别所述电容式芯片的所处环境。
2.根据权利要求1所述的环境电容的确定方法,其特征在于,所述第一环境电容包括所述电容式芯片在出厂且无对象接近时,获得的电容参数。
3.根据权利要求1所述的环境电容的确定方法,其特征在于,所述第一环境电容具有对应的第一温度;
所述根据所述第一接近电容与预设的第一环境电容确定第一差值包括:
获取所述第一接近电容对应的第二温度;
根据所述第一温度和所述第二温度确定所述第一环境电容对应的第二环境电容;
根据所述第一接近电容和所述第二环境电容之间的差值确定所述第一差值。
4.根据权利要求3所述的环境电容的确定方法,其特征在于,所述根据所述第一温度和所述第二温度确定所述第一环境电容对应的第二环境电容,包括:
获取所述电容式芯片对应的环境电容-温度变化关系,所述环境电容-温度变化关系用于记录所述电容式芯片的环境电容随温度的变化特征;
根据所述第一温度、所述第二温度和所述环境电容-温度变化关系计算第一电容变化量;
根据所述第一电容变化量和所述第一环境电容计算所述第二环境电容。
5.根据权利要求1所述的环境电容的确定方法,其特征在于,所述确定方式包括:根据预存的环境电容确定所述当前环境电容,以及实时校准所述当前环境电容。
6.根据权利要求1所述的环境电容的确定方法,其特征在于,所述根据所述第一差值与第一阈值之间的关系选择所述电容式芯片当前环境电容的确定方式,以根据所述确定方式确定所述电容式芯片的当前环境电容,包括:
若所述第一差值大于或等于所述第一阈值,则将所述第一环境电容确定为所述当前环境电容;
若所述第一差值小于所述第一阈值,则根据所述电容式芯片当前获取的第三环境电容确定所述当前环境电容。
7.根据权利要求6所述的环境电容的确定方法,其特征在于,所述第三环境电容的获取方法包括:
读取所述电容式芯片当然获得的多个初始电容;
对各个所述初始电容进行滤波处理,以确定所述第三环境电容。
8.一种检测方法,其特征在于,用于电容式芯片检测相应对象是否接近;所述检测方法包括:
采用权利要求1至7任一项所述的环境电容的确定方法确定所述电容式芯片的第四环境电容;
获取第二接近电容;
根据所述第二接近电容和所述第四环境电容检测是否存在对象接近。
9.根据权利要求8所述的检测方法,其特征在于,所述根据所述第二接近电容和所述第四环境电容检测是否存在对象接近,包括:
根据所述第二接近电容和所述第四环境电容获取第二差值;
若所述第二差值大于第二阈值,则判定存在对象接近,若所述第二差值小于或者等于所述第二阈值,则判定不存在对象接近。
10.根据权利要求8所述的检测方法,其特征在于,所述第四环境电容对应第三温度;
所述根据所述第二接近电容和所述第四环境电容获取第二差值,包括:
获取所述第二接近电容对应的第四温度;
根据所述第四温度和所述第三温度确定所述第四环境电容对应的第五环境电容;
根据所述第二接近电容和所述第五环境电容之间的差值确定所述第二差值。
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