[发明专利]调整三极管放大倍数的方法

说明书

本申请提供一种调整三极管放大倍数的方法，包括：提供一衬底，在衬底上形成外延层，在外延层中形成N阱和P阱；在外延层中形成多个隔离部件；在外延层中形成发射区、基区和集电区；在外延层上沉积接触孔刻蚀停止层，通过改变接触孔刻蚀停止层的应力来调整三极管的放大倍数。通过调整沉积工艺改变接触孔刻蚀停止层的应力的方式对三极管放大倍数进行调整，不改变基区宽度和掺杂浓度。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种调整三极管放大倍数的方法。

背景技术

在半导体工艺中，调整三极管放大倍数的传统方式为改变基区宽度和掺杂浓度，基区宽度变窄，会增大放大倍数；基区掺杂浓度减小，会使复合电流减小，增大放大倍数。然而，对于某些工艺来说，往往不想单独为了三极管的参数性能，改变阱的深度和掺杂浓度。

发明内容

为了实现调整三极管放大倍数时不改变基区宽度和掺杂浓度的目的，本申请提供一种调整三极管放大倍数的方法，包括：

提供一衬底，在衬底上形成外延层，在外延层中形成N阱和P阱；

在外延层中形成多个隔离部件；

在外延层中形成发射区、基区和集电区；

在外延层上沉积接触孔刻蚀停止层，通过改变接触孔刻蚀停止层的应力来调整三极管的放大倍数。

优选的，通过调整该沉积的沉积方式或者工艺参数来改变接触孔刻蚀停止层的应力。

优选的，三极管为PNP管，PNP管放大倍数与接触孔刻蚀停止层的应力数值之间呈斜率为负值的线性关系。

优选的，三极管为PNP管，在N阱中形成发射区和基区，在P阱中形成集电区。

优选的，在N阱中形成第一P+注入区作为发射区，在N阱中形成N+注入区作为基区，在P阱中形成第二P+注入区作为集电区。

优选的，沉积接触孔刻蚀停止层之后，还包括：

在接触孔刻蚀停止层上形成层间介质层；

通过光刻、刻蚀工艺在层间介质层和接触孔刻蚀停止层中形成接触孔；

在接触孔中填充金属材料形成导电插塞；

通过研磨工艺去除层间介质层上的金属材料。

优选的，接触孔刻蚀停止层的应力不同，刻蚀工艺的工艺参数不同。

优选的，该研磨为化学机械研磨。

如上所述，本申请提供的调整三极管放大倍数的方法，具有以下有益效果：通过调整沉积工艺改变接触孔刻蚀停止层(CESL)的应力的方式对三极管放大倍数进行调整，不改变基区宽度和掺杂浓度。

附图说明

为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。

图1显示为采用现有技术制作的三极管的剖面结构示意图；

图2显示为本申请实施例提供的调整三极管放大倍数的方法的流程图；

图3显示为PNP管放大倍数与接触孔刻蚀停止层的应力之间关系的示意图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其它优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。