[发明专利]调整三极管放大倍数的方法在审
| 申请号： | 202211245723.9 | 申请日： | 2022-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115527845A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 高国磊;刘晨晨;张磊;王晓日;陈昊 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调整 三极管 放大 倍数 方法 | ||
1.一种调整三极管放大倍数的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底，在所述衬底上形成外延层，在所述外延层中形成N阱和P阱；
在所述外延层中形成多个隔离部件；
在所述外延层中形成发射区、基区和集电区；
在所述外延层上沉积接触孔刻蚀停止层，通过改变所述接触孔刻蚀停止层的应力来调整所述三极管的放大倍数。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过调整所述沉积的沉积方式或者工艺参数来改变所述接触孔刻蚀停止层的应力。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三极管为PNP管，PNP管放大倍数与所述接触孔刻蚀停止层的应力数值之间呈斜率为负值的线性关系。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三极管为PNP管，在所述N阱中形成所述发射区和所述基区，在所述P阱中形成所述集电区。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述N阱中形成第一P+注入区作为所述发射区，在所述N阱中形成N+注入区作为所述基区，在所述P阱中形成第二P+注入区作为所述集电区。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积接触孔刻蚀停止层之后，还包括：
在所述接触孔刻蚀停止层上形成层间介质层；
通过光刻、刻蚀工艺在所述层间介质层和所述接触孔刻蚀停止层中形成接触孔；
在所述接触孔中填充金属材料形成导电插塞；
通过研磨工艺去除所述层间介质层上的金属材料。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述接触孔刻蚀停止层的应力不同，所述刻蚀工艺的工艺参数不同。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述研磨为化学机械研磨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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