[发明专利]溅射靶材组合体及装配方法在审

专利信息
申请号: 202211240110.6 申请日: 2022-10-11
公开(公告)号: CN115430944A 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 大岩一彦;姚科科;山田浩 申请(专利权)人: 浙江最成半导体科技有限公司
主分类号: B23K33/00 分类号: B23K33/00;B23K28/02
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 刘磊;刘铖
地址: 312035 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 溅射 组合 装配 方法
【权利要求书】:

1.一种溅射靶材组合体,包括溅射靶材(10)和背板(20),所述溅射靶材(10)包括第一安装部(120),所述背板(20)包括槽体(220),其特征在于,所述第一安装部(120)靠近所述槽体(220)底部的一侧设有第一端面(122),所述第一端面(122)包括凹陷部(1222),预装配状态下,所述第一安装部(120)至少部分位于所述槽体(220)中,所述凹陷部(1222)与所述槽体(220)底部保持预设间距,所述凹陷部(1222)设置为在装配过程中由压紧力作用向所述槽体(220)底部靠近并且产生朝向所述槽体(220)侧向的压延变形,所述第一端面(122)在压延变形中形成压延部,所述压延部在装配状态下与所述槽体在侧向上(220)咬合。

2.根据权利要求1所述的溅射靶材组合体,其特征在于,所述槽体(220)和所述第一安装部(120)分别在所述背板(20)和所述溅射靶材(10)上环状延伸,沿所述环状径向截取所述槽体(220)和所述第一安装部(120),形成横向截面。

3.根据权利要求2所述的溅射靶材组合体,其特征在于,在所述横向截面上所述凹陷部(1222)位于所述第一端面(122)的中间区域,所述凹陷部(1222)在预装配状态下为类锥形并且在装配过程中锥度不断变大。

4.根据权利要求2所述的溅射靶材组合体,其特征在于,在预装配状态下,所述凹陷部(1222)在所述横向截面的锥角范围为50~180°。

5.根据权利要求2-4任一项所述的溅射靶材组合体,其特征在于,在预装配状态下,在所述横向截面上所述凹陷部(1222)的宽度等于所述第一端面(122)的宽度数值。

6.根据权利要求2-4任一项所述的溅射靶材组合体,其特征在于,在预装配状态下,所述凹陷部(1222)在所述横向截面的最大深度数值与所述第一安装部(120)在所述横向截面的长度数值的比值范围为0.03~1。

7.根据权利要求2-4任一项所述的溅射靶材组合体,其特征在于,在所述横向截面上所述槽体(220)底部的宽度大于所述槽体(220)进口的宽度,所述第一安装部(120)在预装配状态下通过所述槽体(220)进口进入所述槽体(220)中,并且在装配过程中形成压延体,所述压延体在所述横向截面上的宽度在朝向所述槽体(220)底部的方向上逐渐增加,所述压延体在装配状态中填充所述槽体(220)。

8.根据权利要求2-4任一项所述的溅射靶材组合体,其特征在于,所述槽体(220)环状延伸形成第一侧面(222)和第二侧面(224),在所述横向截面上所述第一侧面(222)截面和所述第二侧面(224)之间的夹角范围为6~30°。

9.根据权利要求8所述的溅射靶材组合体,其特征在于,所述槽体(220)还包括底面(226),所述底面(226)分别与所述第一侧面(222)和所述第二侧面(224)形成第一圆弧过渡面(223)和第二圆弧过渡面(225),在所述横向截面上所述第一圆弧过渡面(223)和所述第二圆弧过渡面(225)圆弧半径数值与所述槽体(220)深度数值的比值范围为0.14~0.4。

10.根据权利要求9所述的溅射靶材组合体,其特征在于,所述第一安装部(120)环状延伸形成第三侧面(124)和第四侧面(126),预装配状态下,所述第三侧面(124)、第四侧面(126)分别与所述第一端面(122)形成第三圆弧过渡面(123)和第四圆弧过渡面(125),在所述横向截面上所述第三圆弧过渡面(123)和所述第四圆弧过渡面(125)的圆弧半径数值与所述第一安装部(120)长度数值的比值范围为0.14~0.4。

11.根据权利要求10所述的溅射靶材组合体,其特征在于,在预装配状态下,所述凹陷部(1222)分别与所述第三侧面(124)和所述第四侧面(126)过渡连接。

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