[发明专利]PERC太阳能电池片及其制作方法、电池组件和光伏系统

说明书

本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种PERC太阳能电池片及其制作方法、电池组件和光伏系统，PERC太阳能电池片包括基片、依次层叠设置在基片正面的正面微晶氮化硅层、正面微晶氮氧化硅层以及正面微晶氧化硅层，以及依次层叠设置在基片背面的微晶氧化铝层、第一背面微晶氧化硅层、背面微晶氮化硅层、背面微晶氮氧化硅层、第二背面微晶氧化硅层。如此，通过将基片的正面膜层和背面膜层均设置为微晶态膜层可以提高PERC太阳能电池片的正背面转换效率，从而提高PERC太阳能电池片的双面光电转换效率，提升PERC太阳能电池片的品质。

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种PERC太阳能电池片及其制作方法、电池组件和光伏系统。

背景技术

目前，现有的PERC太阳能电池片通常都是依次在电池背面沉积氧化铝层、氧化硅层和氮化硅层，正面沉积氮化硅膜层，从而形成正背面钝化膜层。

在相关技术中，现有的PERC太阳能电池片的正背面钝化膜层均为非晶态的结构，非晶态的膜层具有钝化效果好，但是光吸收系数低和电导率低，光致衰减也较高，导致PERC太阳能电池片的转换效率。因此，如何进一步提高PERC太阳能电池片的转换效率成为了技术人员研究的技术问题。

发明内容

本申请提供一种PERC太阳能电池片及其制作方法、电池组件和光伏系统，旨在解决如何进一步提高PERC太阳能电池片的转换效率的技术问题。

本申请是这样实现的，本申请实施例中的PERC太阳能电池片包括：

基片；

依次层叠设置在所述基片正面的正面微晶氮化硅层、正面微晶氮氧化硅层以及正面微晶氧化硅层；和

依次层叠设置在所述基片背面的微晶氧化铝层、第一背面微晶氧化硅层、背面微晶氮化硅层、背面微晶氮氧化硅层、第二背面微晶氧化硅层。

更进一步地，所述正面微晶氮化硅层的厚度为45-65nm，所述正面微晶氮氧化硅层的厚度为5-25nm，所述正面微晶氧化硅层的厚度为5-25nm；和/或

所述正面微晶氮化硅层的折射率为1.7-3.2，所述正面微晶氮氧化硅层的折射率为1.7-3，所述正面微晶氧化硅层的折射率为1.2-2.6。

更进一步地，所述微晶氧化铝层的厚度为4-12nm，所述第一背面微晶氧化硅层的厚度为4-12nm、所述背面微晶氮化硅层的厚度为15-25nm，所述背面微晶氮氧化硅层的厚度为15-25nm，所述第二背面微晶氧化硅层的厚度为10-25nm；和/或

所述微晶氧化铝层的折射率为1.5-1.7，所述第一背面微晶氧化硅层的折射率为1.2-2.3，所述背面微晶氮化硅层的折射率为1.7-3.2，所述背面微晶氮氧化硅层的折射率为1.7-3.2，所述第二背面微晶氧化硅层的折射率为1.2-2.3。

本申请还提供了一种电池组件，所述电池组件包括多片上述任一项所述的PERC太阳能电池片。

本申请还提供了一种光伏系统，所述光伏系统包括上述的电池组件。

本申请还提供一种PERC太阳能电池片的制作方法，包括：

在基片的正面依次沉积正面微晶氮化硅层、正面微晶氮氧化硅层以及正面微晶氧化硅层；

在基片的背面依次沉积微晶氧化铝层、第一背面微晶氧化硅层、背面微晶氮化硅层、背面微晶氮氧化硅层、第二背面微晶氧化硅层；

在沉积了背面膜层和正面膜层的所述基片上制作电路；

烧结制作了电路的基片。

更进一步地，所述在基片的正面依次沉积正面微晶氮化硅层、正面微晶氮氧化硅层以及正面微晶氧化硅层的步骤，包括：