[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置在审
申请号: | 202211201204.2 | 申请日: | 2022-09-29 |
公开(公告)号: | CN115440783A | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 刘军;周斌;苏同上;孙涛;马宇轩;王海东 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 雷思鸣 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制造 方法 显示装置 | ||
提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置,属于显示技术领域。该方法中,首先可以在隔离区形成沿远离衬底的方向依次层叠的金属膜层和绝缘膜层。然后可以采用一张掩膜板,对绝缘膜层和部分金属膜层进行第一刻蚀处理,形成第一绝缘层、第一金属层和覆盖第一绝缘层和部分第一金属层侧壁的络合物层。再然后可以直接以络合物层为遮挡部,对第一金属层进行第二刻蚀处理,得到上宽下窄具有尖端角的阻隔结构。因在第一刻蚀处理时,仅刻蚀了厚度较小的部分金属膜层,故使得仅在第一金属层的部分侧壁上形成了络合物层,进而使得可以在不采用掩膜板的基础上,对第一金属层进行可靠的第二刻蚀处理,得到良率较好的阻隔结构,实现对外界水汽的可靠阻挡。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)显示基板因其自发光、宽视角和响应速度快等优点被广泛应用于各类显示装置中。
相关技术中,OLED显示基板一般包括:具有显示区和非显示区的衬底,位于显示区的多个像素,以及位于非显示区的阻隔(Rib)结构。其中,Rib结构的横截面一般呈具有尖端(Tip)角的“工”字型。Rib结构能够用于对像素进行阻挡隔离,避免外界水汽受切割或其他因素影响而入侵显示区损伤像素。
但是,受目前制造Rib结构的工艺影响,形成的Rib结构易发生塌陷或者断裂。如此,造成阻挡水汽的可靠性较低,产品良率较差。
发明内容
提供了一种显示基板及其制造方法、显示装置,可以解决相关技术中因形成的Rib结构易发生塌陷或者断裂,而导致阻挡水汽的可靠性较低的问题。
所述技术方案如下:
一方面,提供了一种显示基板的制作方法,所述方法包括:
提供衬底,所述衬底具有隔离区;
在所述隔离区,形成位于所述衬底一侧且沿远离所述衬底的方向依次层叠的金属膜层和绝缘膜层;
采用掩膜板,沿靠近所述衬底的方向,对所述绝缘膜层和所述金属膜层中的部分膜层进行第一刻蚀处理,形成第一绝缘层,第一金属层,以及覆盖所述第一绝缘层的侧壁和属于所述部分膜层的第一金属层的侧壁的络合物层,所述金属膜层中,所述部分膜层的厚度小于除所述部分膜层外的其余膜层的厚度;
以所述络合物层为遮挡部,对所述第一金属层进行第二刻蚀处理,形成第二金属层,所述第二金属层靠近所述第一绝缘层的部分的宽度大于远离所述第一绝缘层的部分的宽度,且小于所述第一绝缘层的宽度;
去除所述络合物层,得到阻隔结构,所述阻隔结构包括所述第二金属层和所述第一绝缘层。
可选的,所述对所述绝缘膜层和所述金属膜层中的部分膜层进行第一刻蚀处理,包括:
采用第一刻蚀气体,对所述绝缘膜层进行干法刻蚀处理;
采用第二刻蚀气体,对所述金属膜层中的部分膜层进行干法刻蚀处理;
其中,所述第一刻蚀气体与所述第二刻蚀气体为不同的刻蚀气体。
可选的,所述第一刻蚀气体包括:六氟化硫和氧气;所述第二刻蚀气体包括:三氯化硼和氯气;所述络合物层包括:氯络合物层。
可选的,所述对所述第一金属层进行第二刻蚀处理,包括:
采用刻蚀溶液,对所述第一金属层进行湿法刻蚀处理。
可选的,所述刻蚀溶液包括:百分之10%至20%的乙酸,1%至2.5%硝酸,以及50至60%的磷酸。
可选的,所述金属膜层包括:沿远离所述衬底的方向层叠的第一金属膜层、第二金属膜层和第三金属膜层;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211201204.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的