[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底，所述衬底具有隔离区；

在所述隔离区，形成位于所述衬底一侧且沿远离所述衬底的方向依次层叠的金属膜层和绝缘膜层；

采用掩膜板，沿靠近所述衬底的方向，对所述绝缘膜层和所述金属膜层中的部分膜层进行第一刻蚀处理，形成第一绝缘层，第一金属层，以及覆盖所述第一绝缘层的侧壁和属于所述部分膜层的第一金属层的侧壁的络合物层，所述金属膜层中，所述部分膜层的厚度小于除所述部分膜层外的其余膜层的厚度；

以所述络合物层为遮挡部，对所述第一金属层进行第二刻蚀处理，形成第二金属层，所述第二金属层靠近所述第一绝缘层的部分的宽度大于远离所述第一绝缘层的部分的宽度，且小于所述第一绝缘层的宽度；

去除所述络合物层，得到阻隔结构，所述阻隔结构包括所述第二金属层和所述第一绝缘层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述绝缘膜层和所述金属膜层中的部分膜层进行第一刻蚀处理，包括：

采用第一刻蚀气体，对所述绝缘膜层进行干法刻蚀处理；

采用第二刻蚀气体，对所述金属膜层中的部分膜层进行干法刻蚀处理；

其中，所述第一刻蚀气体与所述第二刻蚀气体为不同的刻蚀气体。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体包括：六氟化硫和氧气；所述第二刻蚀气体包括：三氯化硼和氯气；所述络合物层包括：氯络合物层。

4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述对所述第一金属层进行第二刻蚀处理，包括：

采用刻蚀溶液，对所述第一金属层进行湿法刻蚀处理。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述刻蚀溶液包括：百分之10％至20％的乙酸，1％至2.5％硝酸，以及50至60％的磷酸。

6.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述金属膜层包括：沿远离所述衬底的方向层叠的第一金属膜层、第二金属膜层和第三金属膜层；

所述第一金属膜层的材料和所述第三金属膜层的材料相同，且均与所述第二金属膜层的材料不同；且所述第一金属膜层的厚度和所述第三金属膜层的厚度均小于所述第二金属膜层的厚度；

其中，所述部分膜层包括所述第三金属膜层和所述第二金属膜层的部分金属膜层，且所述第二金属膜层中，所述部分金属膜层的厚度小于除所述部分金属膜层外的其余金属膜层的厚度。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述金属膜层中，所述部分膜层的厚度为所述金属膜层的总厚度的1/5至1/4；所述第二金属膜层中，所述部分金属膜层的厚度为所述第二金属膜层的总厚度的1/5至1/4。

8.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述衬底还具有显示区，所述隔离区至少部分围绕所述显示区；所述方法还包括：

在所述显示区和所述隔离区，形成位于所述衬底一侧的缓冲层；

在所述显示区，形成位于所述缓冲层远离所述衬底一侧的像素，所述像素包括：沿远离所述衬底的方向依次层叠的有源层、第一栅绝缘层、第一栅金属层、第二栅绝缘层、第二栅金属层、层间界定层、第一源漏金属层、第一平坦层、第一钝化层、第二源漏金属层、第二钝化层、第二平坦层、阳极层和像素界定层；

在所述隔离区，形成位于所述缓冲层与所述第二金属层之间，且沿远离所述衬底的方向依次层叠的第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第三金属层和第五绝缘层；

其中，所述第二绝缘层与所述第一栅绝缘层位于同层，所述第三绝缘层与所述第二栅绝缘层位于同层，所述第四绝缘层与所述层间界定层位于同层，所述第三金属层与所述第一源漏金属层位于同层，所述第五绝缘层与所述第一钝化层位于同层，所述第二金属层与所述第二源漏金属层位于同层，所述第一绝缘层与所述第二钝化层位于同层。