[发明专利]功率模块及电子设备

权利要求书

1.一种功率模块，其特征在于，所述功率模块包括绝缘基板及位于所述绝缘基板上的半桥结构，所述半桥结构包括：

上半桥臂芯片组和下半桥臂芯片组，所述上半桥臂芯片组和所述下半桥臂芯片组均包括至少一个开关管芯片；以及

多个正极直流端子、多个负极直流端子和多个交流端子；

其中，所述多个正极直流端子电性连接所述上半桥臂芯片组，所述多个负极直流端子电性连接所述下半桥臂芯片组，所述多个交流端子分别电性连接所述上半桥臂芯片组和所述下半桥臂芯片组；定义沿第一方向上，所述上半桥臂芯片组的相对两侧分别为第一侧和第二侧，所述多个正极直流端子和所述多个负极直流端子均位于所述第一侧，所述多个交流端子位于所述第二侧；沿所述第一方向上，所述下半桥臂芯片组位于所述负极直流端子和所述多个交流端子之间。

2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述多个正极直流端子的数量、所述多个负极直流端子的数量及所述多个交流端子三者的数量相等。

3.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述多个正极直流端子、所述多个负极直流端子和所述多个交流端子三者的数量均大于等于3且小于等于8。

4.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，相邻的两个所述正极直流端子的间距、相邻的两个所述负极直流端子的间距、相邻的两个所述交流端子的间距均大于等于1mm且小于等于5mm。

5.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述半桥结构还包括间隔设置于所述绝缘基板的表面上的直流正极导电层、直流负极导电层、交流导电层；

所述多个正极直流端子与所述直流正极导电层电性连接，所述多个负极直流端子与所述直流负极导电层电性连接，所述多个交流端子与所述交流导电层电性连接。

6.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述至少一个开关管芯片为多个并联的MOSFET芯片；

所述上半桥臂芯片组中，每个所述MOSFET芯片的漏极与所述多个正极直流端子电连接，每个所述MOSFET芯片的功率源极与所述多个交流端子电连接；

所述下半桥臂芯片组中，每个所述MOSFET芯片的漏极与所述多个交流端子电连接，每个所述MOSFET芯片的功率源极与所述多个负极直流端子电连接。

7.根据权利要求6所述的功率模块，其特征在于，所述半桥结构还包括间隔设置于所述绝缘基板的表面上的第一源极导电层、第一栅极导电层、第二源极导电层、第二栅极导电层；

所述上半桥臂芯片组中，每个所述MOSFET芯片的驱动源极与所述第一源极导电层电连接，每个所述MOSFET芯片的栅极与所述第一栅极导电层电连接；

所述下半桥臂芯片组中，每个所述MOSFET芯片的驱动源极与所述第二源极导电层电连接，每个所述MOSFET芯片的栅极与所述第二栅极导电层电连接。

8.根据权利要求7中所述的功率模块，其特征在于，所述半桥结构还包括第一源极端子、第一栅极端子、第二源极端子和第二栅极端子；

所述第一源极端子与所述第一源极导电层电连接，所述第一栅极端子与所述第一栅极导电层电连接，所述第二源极端子与所述第二源极导电层电连接，所述第二栅极端子与所述第二栅极导电层电连接。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块包括三个所述半桥结构；其中三个所述半桥结构沿与所述第一方向交叉的第二方向上间隔设置。

10.一种电子设备，其特征在于，包括根据权利要求1至9中任意一项所述的功率模块。