[发明专利]功率模块及电子设备在审

专利信息
申请号: 202211139399.2 申请日: 2022-09-19
公开(公告)号: CN115692399A 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 和巍巍;汪之涵;唐宏浩 申请(专利权)人: 深圳基本半导体有限公司
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L23/48
代理公司: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 代理人: 蓝航伶;曾昭毅
地址: 518118 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 功率 模块 电子设备
【说明书】:

本申请实施例涉及半导体技术领域,并提供一种功率模块及电子设备。该功率模块包括绝缘基板及位于绝缘基板上的半桥结构。半桥结构包括上半桥臂芯片组、下半桥臂芯片组、多个正极直流端子、多个负极直流端子和多个交流端子。多个正极直流端子电性连接上半桥臂芯片组,多个负极直流端子电性连接下半桥臂芯片组,多个交流端子分别电性连接上半桥臂芯片组和下半桥臂芯片组;定义沿第一方向上,上半桥臂芯片组的相对两侧分别为第一侧和第二侧,多个正极直流端子和多个负极直流端子均位于第一侧,多个交流端子位于第二侧;沿第一方向上,下半桥臂芯片组位于负极直流端子和多个交流端子之间。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种功率模块及电子设备。

背景技术

传统的功率模块含有过高的杂散电感,而高的杂散电感会引起开关振荡和功率损耗,进而降低功率模块的可靠性。

发明内容

本申请第一方面提供一种功率模块,所述功率模块包括绝缘基板及位于所述绝缘基板上的半桥结构,所述半桥结构包括:

上半桥臂芯片组和下半桥臂芯片组,所述上半桥臂芯片组和所述下半桥臂芯片组均包括至少一个开关管芯片;以及

多个正极直流端子、多个负极直流端子和多个交流端子;

其中,所述多个正极直流端子电性连接所述上半桥臂芯片组,所述多个负极直流端子电性连接所述下半桥臂芯片组,所述多个交流端子分别电性连接所述上半桥臂芯片组和所述下半桥臂芯片组;定义沿第一方向上所述上半桥臂芯片组的相对两侧分别为第一侧和第二侧,所述多个正极直流端子和所述多个负极直流端子均位于所述第一侧,所述多个交流端子位于所述第二侧;沿所述第一方向上,所述下半桥臂芯片组位于所述负极直流端子和所述多个交流端子之间。

上述的功率模块,通过设置多个正极直流端子、多个负极直流端子和多个交流端子以提供多个并联的换向回路每个电流回路中的电流相较于半桥结构中仅包括一个正极直流端子、一个负极直流端子和一个交流端子的情况下电流变小,进而因该电流引起的电感也变小。而且上述的功率模块,每个换向回路中存在电流流向相反的结构,利用互感抵消了一部分回路上的杂散电感,进而降低了功率模块的损耗,提升了功率模块的可靠性。

本申请第二方面提供一种电子设备,其包括第一方面所述的功率模块。该电子设备包括上述的功率模块,因此其至少具有与功率模块相同的优点,在此不再赘述。

附图说明

图1为本申请一实施例的功率模块的结构示意图。

图2为图1所示的功率模块的导电层在绝缘基板上的分布示意图。

图3为图1所示的功率模块的等效电路示意图。

图4为本申请一实施例的功率模块的杂散电感仿真结果示意图。

主要元件符号说明:

功率模块 100

绝缘基板 10

半桥结构 20

第一半桥结构 20a

第二半桥结构 20b

第三半桥结构 20c

上半桥臂芯片组 21

下半桥臂芯片组 22

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