[发明专利]氮化镓装置场板系统

说明书

本文中描述的一个实例包含集成电路IC，其包含氮化镓(GaN)晶体管装置(100)。所述IC包含界定有源区的GaN有源层(102)及布置于所述有源区的表面上的栅极结构(108)。所述IC还包含布置于所述栅极结构(108)的第一侧上的源极(104)及布置于所述栅极结构(108)的第二侧上的漏极(106)。所述IC进一步包含导电地耦合到所述源极(104)的至少一个源极场板结构(110)及耦合到所述源极(104)的栅极层级场板结构(112)。

技术领域

本描述大体上涉及电子电路，且更特定来说，涉及氮化镓(GaN)装置场板系统。

背景技术

集成电路(IC)形成进行现代计算的基础，其中IC裸片基于将不同材料进行蚀刻及分层来制造。IC电路由一起集成于半导体裸片上的多个晶体管装置制造而成。晶体管装置由多种半导体材料中的任一者形成，例如硅(Si)、砷化镓(GaAs)及氮化镓(GaN)。GaN晶体管装置可实施于各种应用程序中，例如用于在更高温下及/或以更高切换速度进行的操作。然而，GaN晶体管装置可展现内部电场应力，其可影响GaN晶体管装置的可靠性。作为实例，GaN晶体管装置可基于内部电场展现电子俘获及/或阈值电压不稳定性。因此，一些GaN晶体管装置可包含内部场板结构来抑制内部电场，且借此缓解内部电场的有害效应。

发明内容

本文中描述的一个实例包含集成电路(IC)，其包含氮化镓(GaN)晶体管装置。所述IC包含界定有源区的GaN有源层及布置于所述有源区的表面上的栅极结构。所述IC还包含布置于所述栅极结构的第一侧上的源极及布置于所述栅极结构的第二侧上的漏极。所述IC进一步包含导电地耦合到所述源极的至少一个源极场板结构及耦合到所述源极的栅极层级场板结构。

本文中描述的另一实例包含用于制造包含GaN晶体管装置的IC的方法。方法包含在衬底之上沉积GaN有源层及在GaN有源层之上沉积电介质材料。所述方法还包含形成源极及形成漏极。所述方法还包含在所述GaN有源层之上形成栅极结构及在所述电介质材料上形成栅极层级场板结构。所述方法进一步包含形成从所述栅极层级场板结构延伸的导电通路及形成导电地耦合到所述源极的至少一个源极场板结构。所述导电通路可从导电地耦合到所述源极或所述至少一个源极场板结构中的一者的所述栅极层级场板结构延伸。

本文中描述的另一实例包含GaN晶体管装置。所述装置包含界定有源区的GaN有源层及布置于所述有源区的表面上的栅极结构。所述装置还包含源极及漏极。所述装置还包含导电地耦合到所述源极且上覆于所述栅极结构的第一源极场板结构及导电地耦合到所述源极且上覆于所述栅极结构的第二源极场板结构。所述装置进一步包含栅极层级场板结构，其通过导电通路导电地耦合到所述第一源极场板结构。

附图说明

图1是氮化镓(GaN)晶体管装置的图的实例。

图2是GaN晶体管装置的实例图。

图3是GaN晶体管装置的第一制造阶段的实例图。

图4是GaN晶体管装置的第二制造阶段的实例图。

图5是GaN晶体管装置的第三制造阶段的实例图。

图6是GaN晶体管装置的第四制造阶段的实例图。

图7是GaN晶体管装置的第五制造阶段的实例图。

图8是GaN晶体管装置的最终制造阶段的实例图。

图9是GaN晶体管装置的另一实例图。

图10是GaN晶体管装置的第三制造阶段的实例图。

图11是GaN晶体管装置的第四制造阶段的实例图。

图12是GaN晶体管装置的第五制造阶段的实例图。

图13是GaN晶体管装置的最终制造阶段的实例图。