[发明专利]闪存存储器的数据存储方法、装置、终端设备及存储介质在审

专利信息
申请号: 202211114195.3 申请日: 2022-09-13
公开(公告)号: CN115543189A 公开(公告)日: 2022-12-30
发明(设计)人: 邓伟超;吴大畏;李晓强 申请(专利权)人: 深圳市硅格半导体有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 代理人: 冯俊贤
地址: 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 闪存 存储器 数据 存储 方法 装置 终端设备 介质
【说明书】:

发明公开了一种闪存存储器的数据存储方法、装置、终端设备及存储介质,所述闪存存储器的数据存储方法包括以下步骤:计算初始化的闪存存储器中各存储块各自的第一错误bit数和基础错误bit数;将基础错误bit数和第一错误bit数添加至闪存存储器的磨损表,其中,磨损表包括各存储块各自的擦除次数;根据磨损表确定各存储块中的目标存储块,其中,目标存储块的第二错误bit数与基础错误bit数的和为磨损表中最小的,第二错误bit数为第一错误bit数和擦除次数的积;根据目标存储块进行闪存存储器的数据存储。本发明实现了避免因为存储块的数据中错误bit数过多以及擦除次数过多导致读取数据的速度变慢。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域,尤其涉及一种闪存存储器的数据存储方法、装置、终端设备及计算机存储介质。

背景技术

对闪存存储器存储的数据中存在的错误bit可以采用硬解或者软解的方式进行纠错。当闪存存储器存储的数据中错误bit的个数较少时,可以采用硬解进行纠错,但是当闪存存储器存储的数据中错误bit的个数超出一定的数量时,会采用软解进行纠错。软解需要主控配合硬解模块进行多次匹配,因此当闪存存储器中的块所存储的数据中错误bit数量过多时,会导致读取速度变慢。

当闪存存储器中的数据需要进行擦除操作时,往往需要对该数据所在块的所有数据进行擦除。每个块的擦除次数是有限,对同一个块进行重复的擦除,会导致该块磨损过度,从而导致该块的数据中错误bit数量增加,同时由于块磨损过度,同样会导致读取速度变慢。

上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种闪存存储器的数据存储方法、装置、终端设备及计算机存储介质,旨在解决闪存存储器的块磨损过度以及块上所存储的数据中错误bit数量过多导致读取速度慢的技术问题。

为实现上述目的,本发明提供一种闪存存储器的数据存储方法,所述闪存存储器的数据存储包括以下步骤:

计算初始化的闪存存储器中各存储块各自的第一错误bit数和基础错误bit数;

将所述基础错误bit数和所述第一错误bit数添加至所述闪存存储器的磨损表,其中,所述磨损表包括各所述存储块各自的擦除次数;

根据所述磨损表确定各所述存储块中的目标存储块,其中,所述目标存储块的第二错误bit数与所述基础错误bit数的和为所述磨损表中最小的,所述第二错误bit数为所述第一错误bit数和擦除次数的积;

根据所述目标存储块进行闪存存储器的数据存储。

可选地,所述第一错误bit数为所述存储块上每2KB数据中存在的错误bit数,所述计算初始化的闪存存储器中各存储块各自的第一错误bit数的步骤,包括:

擦除初始化的闪存存储器中各所述存储块上的数据并在所述存储块上重新写入数据;

分别从各所述存储块中读取重新写入的数据以得到各所述存储块各自的所述基础错误bit数;

在对各个所述存储块重复进行预设数量的擦除操作后,在各个所述存储块上重新写入数据,并分别从各所述存储块中读取重新写入的数据以得到各所述存储块各自的第三错误bit数;

针对各所述存储块,计算所述基础错误bit数与所述第三错误bit数之间的差值,使用所述差值的绝对值除以所述预设数量计算得到所述存储块的平均错误bit数,并使用所述平均错误bit数计算每2KB数据中的错误bit数。

可选地,在所述根据所述目标存储块进行闪存存储器的数据存储的步骤之后,所述闪存存储器的数据存储方法还包括:

根据所述闪存存储器中各所述存储块针对所述磨损表进行更新,以根据更新后的磨损表确定各所述存储块中的目标存储块。

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