[发明专利]闪存存储器的数据存储方法、装置、终端设备及存储介质在审

专利信息
申请号: 202211114195.3 申请日: 2022-09-13
公开(公告)号: CN115543189A 公开(公告)日: 2022-12-30
发明(设计)人: 邓伟超;吴大畏;李晓强 申请(专利权)人: 深圳市硅格半导体有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 代理人: 冯俊贤
地址: 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 闪存 存储器 数据 存储 方法 装置 终端设备 介质
【权利要求书】:

1.一种闪存存储器的数据存储方法,其特征在于,所述闪存存储器的数据存储方法包括以下步骤:

计算初始化的闪存存储器中各存储块各自的第一错误bit数和基础错误bit数;

将所述基础错误bit数和所述第一错误bit数添加至所述闪存存储器的磨损表,其中,所述磨损表包括各所述存储块各自的擦除次数;

根据所述磨损表确定各所述存储块中的目标存储块,其中,所述目标存储块的第二错误bit数与所述基础错误bit数的和为所述磨损表中最小的,所述第二错误bit数为所述第一错误bit数和擦除次数的积;

根据所述目标存储块进行闪存存储器的数据存储。

2.如权利要求1所述的闪存存储器的数据存储方法,其特征在于,所述第一错误bit数为所述存储块上每2KB数据中存在的错误bit数,所述计算初始化的闪存存储器中各存储块各自的第一错误bit数和基础错误bit数的步骤,包括:

擦除初始化的闪存存储器中各所述存储块上的数据并在所述存储块上重新写入数据;

分别从各所述存储块中读取重新写入的数据以得到各所述存储块各自的所述基础错误bit数;

在对各个所述存储块重复进行预设数量的擦除操作后,在各个所述存储块上重新写入数据,并分别从各所述存储块中读取重新写入的数据以得到各所述存储块各自的第三错误bit数;

针对各所述存储块,计算所述基础错误bit数与所述第三错误bit数之间的差值,使用所述差值的绝对值除以所述预设数量计算得到所述存储块的平均错误bit数,并使用所述平均错误bit数计算每2KB数据中的错误bit数。

3.如权利要求1所述的闪存存储器的数据存储方法,其特征在于,在所述根据所述目标存储块进行闪存存储器的数据存储的步骤之后,所述闪存存储器的数据存储方法还包括:

根据所述闪存存储器中各所述存储块针对所述磨损表进行更新,以根据更新后的磨损表确定各所述存储块中的目标存储块。

4.如权利要求3所述的闪存存储器的数据存储方法,其特征在于,所述闪存存储器的数据存储方法还包括:

监测所述闪存存储器的使用时长;

所述根据所述闪存存储器中各所述存储块针对所述磨损表进行更新的步骤,包括:

针对各所述存储块,当监测到的所述使用时长与预设时长相等时,在对所述存储块进行所述使用时长与所述预设时长相等后的第一次擦除操作后,计算所述存储块的第四错误bit数;

使用所述第四错误bit数更新所述磨损表。

5.如权利要求3所述的闪存存储器的数据存储方法,其特征在于,所述根据所述闪存存储器中各所述存储块针对所述磨损表进行更新的步骤,包括:

当确定所述闪存存储器各所述存储块中存在擦除次数与预设次数相等的磨损块时,在对所述磨损块进行擦除次数与所述预设次数相等后的第一次擦除操作后,计算所述磨损块的第五错误bit数;

使用所述第五错误bit数更新所述磨损表。

6.如权利要求5所述的闪存存储器的数据存储方法,其特征在于,所述计算所述磨损块的第五错误bit数的步骤之前,所述闪存存储器的数据存储方法还包括:

针对所述闪存存储器各所述存储块中的所述磨损块进行数据交换;

所述计算所述磨损块的第五错误bit数的步骤包括:

计算进行数据交换后的所述磨损块的所述第五错误bit数。

7.如权利要求3所述的闪存存储器的数据存储方法,其特征在于,所述闪存存储器的数据存储方法还包括:

确定所述闪存存储器的数据存储量;

所述根据所述闪存存储器中各所述存储块针对所述磨损表进行更新的步骤,包括:

针对各所述存储块,当所述闪存存储器的数据存储量达到预设的存储量阈值时,在对所述存储块进行所述数据存储量达到所述存储量阈值后的第一次擦除操作后,计算各所述存储块的第六错误bit数;

使用各所述第六错误bit数更新所述磨损表。

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