[发明专利]一种钙钛矿复合层以及太阳能电池

权利要求书

1.一种钙钛矿复合层，包括：

钙钛矿层，以及

位于所述钙钛矿层的至少一个表面上的钝化层，其中，所述钝化层由带有至少一个端炔基或端烯基的有机盐形成。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿复合层，其中，所述钝化层是由带有至少一个端炔基或端烯基的有机盐形成聚合物膜层。

3.根据权利要求1或2所述的钙钛矿复合层，其中，所述带有至少一个端炔基或端烯基的有机盐包括阴离子和阳离子，其中阴离子和阳离子中至少之一带有端炔基或端烯基。

4.根据权利要求3所述的钙钛矿复合层，其中，所述阴离子为有机酸根，优选为带有端炔基或端烯基的有机酸根；所述阳离子选自铵阳离子、钾离子、钠离子、铯离子及其组合，优选地，所述铵阳离子带有端炔基或端烯基。

5.根据权利要求3所述的钙钛矿复合层，其中，所述带有至少一个端炔基或端烯基的有机盐选自4-乙烯基苯胺苯磺酸盐、4-乙炔基苯胺苯磺酸盐、4-乙烯基苯胺硼酸盐、4-乙炔基苯胺硼酸盐、4-乙烯基苯胺六氟磷酸盐、4-乙炔基苯胺六氟磷酸盐、4-乙烯基苯胺苯甲酸盐、4-乙炔基苯胺苯甲酸盐、4-乙烯基苯胺四氟硼酸盐、4-乙炔基苯胺四氟硼酸盐、4-乙烯基苯磺酸铯盐、4-乙炔基苯磺酸铯盐、4-乙烯基苯胺4-乙烯基苯甲酸盐、4-乙炔基苯胺4-乙炔基苯甲酸盐、4-乙烯基苯胺4-乙烯基苯磺酸盐、4-乙炔基苯胺4-乙炔基苯磺酸盐及其组合中的至少一种。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的钙钛矿复合层，其中，所述钙钛矿层的厚度为100-1000nm；所述钝化层的厚度为0.3-10nm。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的钙钛矿复合层，其中，钙钛矿层包括AMX₃，其中A选自C₄H₁₁N⁺、CH₃NH₃⁺、HC(NH₂)₂⁺、Cs⁺和Rb⁺及其组合；M选自Pb²⁺和Sn²⁺及其组合；X选自卤素离子和类卤素离子及其组合。

8.制备钙钛矿复合层的方法，包括

S1提供钙钛矿层，

S2在所述钙钛矿层的至少一个表面上形成包含钝化材料的层，所述钝化材料为带有至少一个端炔基或端烯基的有机盐；

S3使所述钝化材料聚合，得到所述钙钛矿复合层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，使所述钝化材料聚合包括光聚合，或者热聚合。

10.一种太阳能电池，包括：导电基底、电子传输层、空穴传输层及背电极，其中，所述电子传输层和所述空穴传输层之间还包括权利要求1-7中任一项所述的钙钛矿复合层。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，所述电子传输层包括n型无机或有机半导体材料，优选选自PCBM、ZnTiO₃、TiO₂、SnO₂、ZnO、ZnO-ZnS及其组合。

12.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，所述空穴传输层材料包括p型无机或有机半导体材料，优选选自NiO_x、CuI、CuSCN、spiro-OMeTAD、P3HT、PTAA及其组合。

13.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，所述背电极包括金属电极或非金属电极，优选选自金、银、铜或碳、ITO及其组合。

14.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，电子传输层的厚度为10-120nm；所述空穴传输层的厚度为50-300nm；所述背电极的厚度为10-100nm。