[发明专利]用于真空镀膜设备的阴极组件及其真空镀膜设备

说明书

本发明涉及离子体增强化学气相沉积设备领域，具体涉及用于真空镀膜设备的阴极组件及其真空镀膜设备，阴极组件具有电极板，电极板绕中心圆周连接有多个铜棒，多个铜棒之间连接有多点馈入铜片，多点馈入铜片连接有铜片，铜片连接有电源适配器。本发明提供的真空镀膜设备使用上述阴极组件，通过在电极板上面使用多点馈入方式，改变电磁波馈入点，电磁波路径改变，避开电磁波相长干涉，消除驻波效应。

技术领域

本发明涉及离子体增强化学气相沉积设备领域，具体涉及一种用于真空镀膜设备的阴极组件及其真空镀膜设备。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备，以太阳能电池镀膜为例，载板装载硅片在主机工艺腔室内完成镀膜工艺。随着技术的进步，及新工艺的开发，对设备量产产能的需求不断提高，导致工艺腔面积不断增大。对于平板电容耦合(CCP)结构设备，面临一大问题，设备尺寸增加，配套的阴极组件电极板尺寸也同时增加，当阴极组件电极板对角线尺寸接近1/4波长，腔室内会电磁波产生驻波效应，导致电场不均匀，影响镀膜效果。不同频率电源波长，13.56MHz电源，1/4波长5.53米。40MHz电源，1/4波长1.875米。60MHz电源，1/4波长1.25米。80MHz电源，1/4波长0.9375米。80MHz电源，1/4波长0.9375米。80MHz电源，1/4波长0.75米。应用材料ATK10.5G设备，阴极组件电极板尺寸约3.53×3.1米，对角线长度接近4.7米，已经接近13.56MHz电源1/4波长，理论上会产生驻波效应，影响电场均匀性。如果使用40MHz电源，驻波效应明显，电场均匀性差。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术的缺陷，提供一种用于真空镀膜设备的阴极组件及其真空镀膜设备。

实现本发明目的的技术方案是：

一种用于真空镀膜设备的阴极组件，包括第一金属导电件，与至少一个电源配电器连接，所述第一金属导电件为呈散射状的金属片，包括均匀分布的多个分片，任一所述分片上至少设有一个连接点，用于与第二金属导电件连接，所述第二金属导电件远离所述分片的一端均连接电极板，以实现多点功率馈入所述电极板。

上述技术方案还包括第三金属导电片和弹性导电件，所述第一金属导电件通过所述第三金属导电件与所述电源配电器连接，所述第二金属导电件通过所述弹性导电件连接于所述电极板。

上述技术方案所述第一金属导电件和所述第三金属导电件为铜片，所述第二金属导电件为铜杆件，所述铜片和所述铜杆件表面涂有防氧化层。

上述技术方案所述第二金属导电件环绕所述第一金属导电件的中心均匀布设，任一所述分片上还设有U型结构。

上述技术方案所述电源配电器设有两个，使用的电源频率为高频电源范围3～30MHz，甚高频范围30～300MHz。

一种真空镀膜设备，包括上述的真空镀膜设备的阴极组件。

上述技术方案包括一腔体，所述腔体上方设有上盖，所述上盖上方设有第一护罩，所述第一护罩上方设有第二护罩，所述电极板设于所述腔体内，所述第一金属导电件位于所述第一护罩内，所述上盖上设有贯穿孔，所述第二金属导电件穿过所述贯穿孔连接于所述电极板，所述电源配电器设于所述第二护罩内。

上述技术方案所述第二金属导电件套设有绝缘热缩管，所述第一金属导电件通过绝缘支撑架架设在所述上盖上方，所述腔体内侧靠近所述电极板部分设有绝缘板。

上述技术方案所述电极板与所述第一金属导电件平行设置，沿第一方向，所述电极板投影尺寸范围为正方形，边长为1m～4m。

上述技术方案所述第一护罩的一侧连接有进气风扇，另一侧连接有排风风扇。

采用上述技术方案后，本发明具有以下积极的效果：