[发明专利]一种低阈值电压CMOS器件的省版方法在审
| 申请号： | 202211086764.8 | 申请日： | 2022-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN116314031A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 姚致远;宋婉;方明旭;肖莉;王黎;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阈值 电压 cmos 器件 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低阈值电压CMOS器件的省版方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底，在所述衬底中形成埋层；
在所述衬底上形成外延层；
在所述外延层上涂覆光刻胶；
调用BCD工艺平台中的具有漏极漂移区图案的掩模版；
使用所述掩模版将所述漏极漂移区图案转移至所述光刻胶中；
以所述光刻胶为掩模，实施一离子注入，在所述外延层中形成低压阱区。
2.根据权利要求1所述的低阈值电压CMOS器件的省版方法，其特征在于，对于低阈值电压NMOS器件，调用BCD工艺平台中的具有P型漏极漂移区图案的掩模版。
3.根据权利要求1所述的低阈值电压CMOS器件的省版方法，其特征在于，对于低阈值电压PMOS器件，调用BCD工艺平台中的具有N型漏极漂移区图案的掩模版。
4.根据权利要求1所述的低阈值电压CMOS器件的省版方法，其特征在于，对于低阈值电压NMOS器件，所述埋层为P型埋层。
5.根据权利要求1所述的低阈值电压CMOS器件的省版方法，其特征在于，对于低阈值电压PMOS器件，所述埋层为N型埋层。
6.根据权利要求1所述的低阈值电压CMOS器件的省版方法，其特征在于，对于低阈值电压NMOS器件，所述低压阱区为低压P型阱区。
7.根据权利要求1所述的低阈值电压CMOS器件的省版方法，其特征在于，对于低阈值电压PMOS器件，所述低压阱区为低压N型阱区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
