[发明专利]晶硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种晶硅太阳能电池，其特征在于，所述晶硅太阳能电池包括：

P型硅片，其正面和背面均设有隧穿层；

N型硅材料层，其连接于所述P型硅片的正面的所述隧穿层上，且所述N型硅材料层上开设有多个间隔设置的镂空部，所述N型硅材料层上层叠有正面透明导电膜层，且所述正面透明导电膜层的朝向所述N型硅材料层的表面设有多个分别与各所述镂空部一一对应的凸起部，对应设置的所述凸起部嵌设于所述镂空部的内部，所述正面透明导电膜层上连接有正面电极，所述正面电极穿过所述正面透明导电膜层与所述N型硅材料层相连接；

P型硅材料层，其连接于所述P型硅片的背面的所述隧穿层上，所述P型硅材料层上层叠有背面透明导电膜层，所述背面透明导电膜层上连接有背面电极，所述背面电极穿过所述背面透明导电膜层与所述P型硅材料层相连接。

2.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，

所述隧穿层的厚度为0.5mm～3mm。

3.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，

多个所述镂空部均布在所述N型硅材料层上。

4.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，

所述N型硅材料层为由硅氢化合物掺杂氮族元素制成，所述氮族元素的掺杂浓度为10¹⁸cm^-3～10²²cm^-3。

5.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池，其特征在于，

所述P型硅材料层为由硅氢化合物掺杂硼族元素制成，所述硼族元素的掺杂浓度为10¹⁸cm^-3～10²¹cm^-3。

6.一种晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述晶硅太阳能电池的制备方法包括：

在P型硅片的正面和反面制备隧穿层；

在背面的所述隧穿层上制备P型硅材料层；

在正面的所述隧穿层上制备N型硅材料层，并对N型硅材料层进行局部蚀刻以形成多个镂空部；

在P型硅材料层上制备背面透明导电膜层；

在N型硅材料层上制备正面透明导电膜层，并使所述正面透明导电膜层填充各所述镂空部；

在所述背面透明导电膜层上制备背面电极，并在所述正面透明导电膜层上制备正面电极。

7.根据权利要求6所述的晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，

在所述P型硅片的正面和反面制备隧穿层之前，所述制备方法还包括对所述P型硅片进行双面制绒和清洗。

8.根据权利要求7所述的晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，

在对所述P型硅片进行双面制绒和清洗之后，制备隧穿层之前，所述制备方法还包括对所述P型硅片进行氢化处理。

9.根据权利要求6所述的晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，

所述对N型硅材料层进行局部蚀刻以形成多个镂空部具体包括：

使用图形化光刻工艺或图形化激光工艺，刻蚀所述正面透明导电膜层的非金属区域，以形成多个所述镂空部。

10.根据权利要求6所述的晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，

所述对N型硅材料层进行局部蚀刻以形成多个镂空部具体包括：

在所述正面透明导电膜层的金属区域印刷绝缘浆料，通过湿化学方法蚀刻所述正面透明导电膜层的非金属区域，以形成多个所述镂空部。

11.根据权利要求6所述的晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，

所述正面电极和所述背面电极均采用金属电极浆料制成，且所述金属电极浆料的固化温度小于或者等于500℃。