[发明专利]存储器装置布局

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

所述存储器装置的存储器分区，其中所述存储器分区包括：

存储器区，其包括耦合到所述存储器区的字线的存储器元件；

感测放大器区，其包括感测放大器，所述感测放大器耦合到所述存储器元件以感测所述存储器元件的数据状态；

子字线区，其耦合到所述存储器区的所述字线；以及

微隙区，其安置于所述子字线区与所述感测放大器区的相交处，其中所述微隙区包括：

第一多个晶体管，其在至少一个方向上跨所述微隙区具有与所述感测放大器区的第二多个晶体管连续的布局。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一多个晶体管具有与所述第二多个晶体管共同的间距规则。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一多个晶体管中的第一晶体管在操作时提供电压到所述感测放大器的至少一个部分。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述第一多个晶体管中的第二晶体管在操作时将所述感测放大器的至少一个第二部分耦合到接地。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述第一多个晶体管中的第三晶体管在操作时将第二电压提供到安置于所述微隙区中的放大器。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述第一多个晶体管中的第四晶体管在操作时提供均衡电压到所述感测放大器的至少一个第三部分。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一多个晶体管中的第一晶体管安置于所述感测放大器区的子区中。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述第一晶体管是所述感测放大器的反相器的一部分。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述第二多个晶体管中的第二晶体管安置于所述微隙区中。

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述第二晶体管耦合到所述感测放大器，其中所述第二晶体管在操作时将激活电压提供到所述感测放大器。

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中所述第二晶体管沿着所述至少一个方向安置于所述微隙区中紧邻所述感测放大器的所述子区的区中。

12.一种装置，其包括：

感测放大器区，其包括感测放大器，所述感测放大器耦合到存储器元件以感测所述存储器元件的数据状态；

子字线区，其经由存取所述存储器元件的字线耦合到所述存储器元件；以及

微隙区，其安置于所述子字线区与所述感测放大器区的相交处，其中所述微隙区包括：

具有第一组物理特性的第一多个晶体管，其中所述第一组物理特性存在于所述感测放大器区的第二多个晶体管中；以及

具有第二组物理特性的第三多个晶体管，其中所述第二组物理特性存在于所述感测放大器区的第四多个晶体管中。

13.根据权利要求12所述的装置，其中所述第一多个晶体管在第一方向上与所述第二多个晶体管对准。

14.根据权利要求13所述的装置，其中所述第三多个晶体管在所述第一方向上与所述第四多个晶体管对准。

15.根据权利要求14所述的装置，其中所述第一多个晶体管包括所述感测放大器的至少一部分。

16.根据权利要求15所述的装置，其中所述第二多个晶体管包括至少一个激活装置以将电压信号提供到所述感测放大器。

17.根据权利要求16所述的装置，其中所述第三多个晶体管包括所述感测放大器的至少第二部分。