[发明专利]一种半导体驱动电路的电流纹波调整方法、电源管理芯片及装置在审
申请号: | 202211082166.3 | 申请日: | 2022-09-06 |
公开(公告)号: | CN115360889A | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 陈敬沧 | 申请(专利权)人: | 上海百功微电子有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M1/14;H02M1/32 |
代理公司: | 北京双收知识产权代理有限公司 11241 | 代理人: | 窦志梅 |
地址: | 201103 上海市闵*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 驱动 电路 电流 调整 方法 电源 管理 芯片 装置 | ||
1.一种半导体驱动电路的电流纹波调整方法,其特征在于,包括下列步骤:
S1、在半导体驱动电路上设置电源管理芯片、VCCS、NM0S晶体管以及电阻网络,电源管理芯片发射PWM信号驱动NMOS晶体管;
NMOS晶体管为应变硅NMOS晶体管,建立应变硅NMOS晶体管模型,在体硅衬底上首先生长一层驰豫的SiGa缓冲层,其上用MBE(分子束外延)低温生长应变硅沟道层;
S2、NMOS晶体管根据PWM信号的电压准位,导通或断开其汲极-源极通道,由于NMOS晶体管为应变硅NMOS晶体管,沟道横向表面电势不再是恒定不变的,根据关态或亚阈条件下的沟道表面势分布来调节NMOS晶体管的电压位准,导通或断开其汲极-源极通道;
S3、电阻网络为若干个电阻串联,并且与若干个NMOS晶体管并联,通过控制NMOS晶体管的通断来控制与之并联的电阻是否接入电路,通过调整不同的NMOS晶体管的通断实现接入不同阻值的电阻,实现粗调;
S4、在实现小数部分电阻值时主要通过调节VCVS的电压来实现,实现微调;
S5、电流检测电路与电压检测电路通过A/D转换实时传送电压电流数据到电源管理芯片,电源管理芯片实时计算并判断当前阻值是否符合设定的目标阻值,并使用PI控制算法调整VCVS电压值以抵消误差电阻影响,进行校正,从而实现目标阻值;
S6、输出电源的电流流过电阻网络产生控制电流,同时流过电流感测电阻产生电流感测信号;
S7、在电源管理芯片设置放大器模块,放大器模块的正向输入端接入参考电压,负向输入端接入外接电阻产生的电流感测信号,输出端外接电容,使电流感测信号和参考电压的差值经该电容滤波以产生比较信号;
S8、同时,信号单元按照电阻网络所生产的控制电流,改变锯齿波信号的上升斜率,而锯齿波信号的上升斜率变大或变小时,比较信号的电压准位随之升高或降低,从而使得电流感测信号的纹波变小或变大;
S9、电流流过电感,输出到半导体模块,接入流过电感的电流感测信号,形成半导体驱动电路的输出电流。
2.根据权利要求1所述的一种半导体驱动电路的电流纹波调整方法,其特征在于:所述NMOS晶体管的栅极电压为4.5V时,导通内阻较小,为5.4mΩ,且NMOS晶体管施加了保护电路。
3.根据权利要求1所述的一种半导体驱动电路的电流纹波调整方法,其特征在于:所述PI控制算法内置电源管理芯片中,在主要由比例环节P和积分环节I构成,当误差产生时,比例环节立即动作产生控制作用。
4.根据权利要求1所述的一种半导体驱动电路的电流纹波调整方法,其特征在于:所述电压检测电路由电压跟随器、反相器与加法器构成,电路使用开环增益较高的运算放大器,所述电流检测电路使用读取采样电阻电压值获取电流数据,电阻使用精度为0.01%的高精度电阻作为电流采样电阻,取样电阻阻值为10mΩ。
5.根据权利要求1所述的一种半导体驱动电路的电流纹波调整方法,其特征在于:当检测到阻值偏离设定值时,电源管理芯片通过内置的PI算法控制VCVS的电压,使整体的等效电阻回到设定值。
6.一种应用于半导体驱动电路的电源管理芯片,其特征在于:包括用于输出反馈信号的误差放大器模块、用于产生的斜坡的斜坡发生器、用于接收反馈信号与斜坡的PWM比较器、用于改变锯齿波信号的上升斜率的信号单元以及开关电路,所述PWM比较器在接收到反馈信号的同时,即产生一定占空比的PWM输出信号,所述PWM输出信号驱动一个开关电路,控制此开关电路的开启与断开,最后在PWM OUTPUT端输出PWM信号,PWM比较器的工作电路中,设置有V+1控制端控制电路输出,用于给输出端的电压设定一个固定的阈值,当电压未达到该阈值时,输出电路不工作,让电路开始工作时不能在全占空比下启动,使输出电压以受控的上升速率增加至稳定点,V+l端除了控制输出电路启动外,能够对输出PWM脉冲进行占空比钳位,给电路的输出提供了宽范围的占空比。
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H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
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