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[实用新型]一种二极管封装结构-CN202320091606.5有效
发明人： 陈敬沧 -专利权人：上海百功微电子有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种二极管封装结构，包括一硅二极管芯片，具备一对P型半导体结和N型半导体结，P型半导体结和N型半导体结均为柱状结构，二者接触端呈面接触；一正极引脚，采用无氧铜材料制成，与P型半导体结上端连接；一负极引脚，采用无氧铜材料制成，与N型半导体结下端连接；一绝缘保护层，采用SiO2材料制成，密封铺设在该硅二极管芯片的上端；一固态散热薄膜层，涂布于该硅二极管芯片的外围。本实用新型结构合理，摒弃了传统的二氧化硅封装壳体结构，并采用固态散热薄膜层直接对芯片进行封装，提高了整体的散热性能，在使用过程中能够保持良好的热稳定性。
一种二极管封装结构

[发明专利]一种电源转换方法、电源管理芯片及装置-CN202211096060.9有效
发明人： 陈敬沧 -专利权人：上海百功微电子有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种电源转换方法、电源管理芯片及装置，涉及电源转换领域。本发明通过滤波器接收进入电源转换装置的输入电源，直流检测电路接收过滤后的输入电源并检测其电压，控制其直接输出或输入到滤波器，控制开关也连接滤波器，接收过滤后的输入电源，转换线圈将控制开关输出的输入电源，转换为输出电源，整流器将输出电源转换为直流输出电压，光耦合器可根据整流器输出的直流输出电压，透过光耦合产生1个光耦合信号，为电源管理芯片提供电流反馈，电源管理芯片连接光耦合器，可根据光耦合器产生的光耦合信号，输出控制信号来持续切换控制开关，以控制输出到转换线圈的输入电源大小，从而控制输出电压稳定。
一种电源转换方法管理芯片装置

[发明专利]含有双金属化层的二极管封装结构及利用其的封装方法-CN202310120304.0在审
发明人： 陈敬沧 -专利权人：上海百功微电子有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供了一种含有双金属化层的二极管封装结构及利用其的封装方法，其中，本发明二极管封装结构，使用金属铬作为二极管金属化层的底层金属薄膜，阻挡金属镍薄膜中的镍原子与硅晶之间的相互扩散和反应，并阻止金属镍与硅晶之间形成不稳定化合物硅化镍，从而防止二极管产品性能降低并提高二极管产品良率。
含有双金属二极管封装结构利用方法

[发明专利]一种二极管封装材料及利用其的二极管封装方法-CN202310114432.4在审
发明人： 陈敬沧 -专利权人：上海百功微电子有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C03C8/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种二极管封装材料及利用其的二极管封装方法，其中，二极管封装材料中加入了3％的三氧化二铬，与其它成分相互配合，形成了一种新的二极管封装材料，该材料具有良好的力学性能、润滑性能、耐磨性能，可以满足极端温度条件下二极管使用时的热稳定性和机械强度等需求，在航天、船舶、通信、铁路、计算机、家用电器及仪器仪表各个领域，具有很好的应用价值。
一种二极管封装材料利用方法

[发明专利]一种GaN驱动电路-CN202211552048.4在审
发明人： 陈敬沧 -专利权人：上海百功微电子有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN驱动电路，包括电源管理芯片、高侧反相器、低侧反相器以及连接到开关节点的氮化镓制高侧开关和氮化镓制低侧开关；电源管理芯片软件方式实现PWM，通过预先给定的固定频率控制输出的高侧PWM信号和低侧PWM信号，进而控制高侧反向器和低侧反向器选择性地驱动GaN HEMT 1或GaN HEMT 2导通或关断，对流经开关节点的电流进行转换，从而在半桥中点处提供期望的输出电压，低侧反向器选用或非门反相器，电源管理芯片提供的低侧PWM信号和高侧反相器发出的电平信号均为低电平时，低侧反向器输出才为高电平，避免高侧GaN HEMT开关和低侧GaN HEMT开关发生同时导通，本发明一种GaN驱动电路，减小了电路尺寸，电路结构紧凑、简单，提高了能源转换效率。
一种 gan 驱动电路

[发明专利]一种基于GaN HEMT的半桥电路及控制方法-CN202211552024.9在审
发明人： 陈敬沧 -专利权人：上海百功微电子有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于GaN HEMT的半桥电路及控制方法，利用电源管理芯片输出PWM信号，控制2个GaN HEMT开关的通断时间以及缓冲电容时序，作为双向半桥电路的高侧开关和低侧开关，从而无需并联寄生二极管，可以解决传统半桥电路中因为MOS管易被瞬间反向电流击穿而需要寄生二极管保护的问题，不仅简化电路结构，而且能够大幅度提高电流容量，提高电路的安全可靠性。
一种基于 gan hemt 电路控制方法

[发明专利]一种二极管散热薄膜的制作方法及二极管封装结构-CN202310047496.7在审
发明人： 陈敬沧 -专利权人：上海百功微电子有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种二极管散热薄膜的制作方法及二极管封装结构，包括以下步骤：使用金刚石晶粒和金属铝粉为主要原料进行机械混合；将混合粉末放入模具，置入放电等离子烧结炉中至固液混熔状态；凝结并在持续保压中凝结形成厚度仅为1.0微米的固态薄膜；切割成型：依照二极管外围散热面积的大小需求，对固态薄膜进行裁切；粘合薄膜：对二极管外围进行清洗，将制成的散热薄膜粘合在二极管芯片外围。本发明创新的使用金刚石和铝复合材料作为二极管的散热薄膜，不仅可以加大二极管的有效散热面积，还可以利用金刚石和铝复合材料具有的优异导热性、较小热膨胀系数以及较低材料密度等特性，使得二极管获得良好的散热效果。
一种二极管散热薄膜制作方法封装结构

[发明专利]一种全玻璃钝化二极管及其生产方法-CN202310043140.6在审
发明人： 陈敬沧 -专利权人：上海百功微电子有限公司
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供了全玻璃钝化二极管生产方法，包括以下步骤：(一)准备工作(a)芯片准备；(b)原料准备；(c)软件准备：进行激光参数及原料参数的预置，通过计算机建模软件，使用电脑辅助设计技术CAD，依照不同二极管设计需求完成激光烧结的预设信息，并将预设信息传送到半导体激光器上；(二)均匀铺粉；(三)激光烧结；(四)回收处理；(五)消除排胶。本发明所述的全玻璃钝化二极管生产方法，采用激光成型技术制备二极管PN结的玻璃护封，精准控制二极管玻璃烧结，单次完成二极管PN结的全面护封，而且没有潜在故障源。本发明还提供了采用所述的全玻璃钝化二极管生产方法生产的全玻璃钝化二极管。
一种玻璃钝化二极管及其生产方法

[发明专利]基于QLC NAND闪存的写操作配置方法、存储控制器及存储设备-CN201811301413.8有效
发明人：刘世军;于楠;陈敬沧;陈刚 -专利权人：上海百功半导体有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：基于QLC NAND闪存的写操作配置方法，包括步骤：将QLC NAND存储单元的16个电压区间采用4比特来表征，每一个比特位表征为一个页地址，使QLC NAND具有四个页地址；采用编码规则对16个电压区间中各个电压区间进行二进制编码映射，根据二进制编码映射关系通过提升存储电压到特定的电压区间，实现基于四个页地址映射的多种不同的QLC NAND写操作；对多种QLC NAND写操作进行配置，根据不同的数据存储需求选择匹配的QLC NAND写操作。本发明根据存储控制器的特点及QLC NAND闪存写操作特性，提供了一种可以通过在存储控制器中配置不同的写操作模式从而可有效地提高存储设备中QLC NAND芯片的使用性能的方法，进而实现了最佳数据写入性能的存储设备。
基于 qlc nand 闪存操作配置方法存储控制器设备

[发明专利]一种GaN半导体器件及其制备方法-CN202211410018.X在审
发明人： 陈敬沧 -专利权人：上海百功微电子有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN半导体器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本发明一种GaN半导体器件包括自下而上依次设置的衬底、设置在衬底上的GaN通道层、设置在GaN通道层上的InGaN插入层和设置在InGaN插入层上的InAIN阻挡层，InAIN阻挡层上光刻出源级区域和漏极区域，源级区域和漏极区域设置有栅极区域，源级区域设有源级、漏极区域设有漏极、栅极区域设有栅极，源级、漏极和栅极一步成型。本发明为一种GaN半导体器件及其制备方法，能够避免因为InAlN的合金散射显著降低2DEG的迁移率，使GaN HEMT器件的迁移率得到显著提高，提高GaN HEMT功率转换和电源管理效率，由改变InGaN插入层中In成分比例调节GaN HEMT器件的带隙宽度，进而调节GaN HEMT器件的击穿电压，以满足不同应用场景的功率需求。
一种 gan 半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种阈值可调节的GaN器件-CN202211331418.1在审
发明人： 陈敬沧 -专利权人：上海百功微电子有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种阈值可调节的GaN器件，涉及GaN器件技术领域，本发明包括输入电源、解码器、电荷泵、电平移位器、氮化镓高电子迁移率晶体管以及输出电源，氮化镓高电子迁移率晶体管的数量有若干个，氮化镓高电子迁移率晶体管，用于接收相应的电平移位器发出的通电压或关电压，并各自独立进行开启/关闭，从而形成各自的导电通路，完成阈值可调节。本发明为一种阈值可调节的GaN器件，通过利用若干个氮化镓高电子迁移率晶体管作为分流电路，每个氮化镓高电子迁移率晶体管根据输入阈值命令在其绝缘栅极收到相应的通电压或关电压，从而开启/关闭其漏极‑源极通道，形成各自的导电通路，完成阈值可调节的创意。
一种阈值调节 gan 器件

[发明专利]一种电源控制方法、电源控制芯片及系统-CN202211108915.5在审
发明人： 陈敬沧 -专利权人：上海百功微电子有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种电源控制方法、电源控制芯片及系统，涉及电源控制领域，本发明包括S1、在电源电路形成分流电压；S2、将分流电压转换为数字电压；S3、将数字分流电压的数值与电源电路中设置的参考电压进行比较，形成差值电压；S4、根据差值电压输出1个数字控制信号；S5、根据数字控制信号输出多个脉冲信号；S6、根据各个脉冲信号改变输出到负载组件的输出电流，实现各种负载组件对特定电流进行精准控制，完成电源控制。本发明可以对特定电流进行精准控制。
一种电源控制方法芯片系统

[发明专利]一种电源管理芯片及电源能效管理系统-CN202211081910.8在审
发明人： 陈敬沧 -专利权人：上海百功微电子有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H02J13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电源管理芯片及电源能效管理系统，涉及电源管理技术领域，包括与微处理器通信连接并接受微处理器指令控制的电压采集模块，用于获取电源输出的数字电压，并判定设备电池充/放电的结束状态；电流采集模块，用于实时采集电源的流入电量和流出电量，并判定电源的电量储量；温度传感模块，用于采集电源的工作温度，并判断电源的用电状态；数据传输模块，用于与外接设备双向数据通讯方式，向外接设备发送监测到的电源的实时数据。本发明能够实时获取电源的参数信息并与外接设备进行信息传输，还提供了一种电源能效管理系统，通过系统内置的AI分析模块进行电源各项参数的分析和监控，并实时反馈给用户，从而完成电源的能效监测服务。
一种电源管理芯片能效系统

[发明专利]一种半导体驱动电路的电流纹波调整方法、电源管理芯片及装置-CN202211082166.3在审
发明人： 陈敬沧 -专利权人：上海百功微电子有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体驱动电路的电流纹波调整方法、电源管理芯片及装置，涉及电流纹波调整领域。本发明的电流纹波调整方法利用电源管理芯片，改变电阻网络的电阻值，电阻网络发出控制信号，改变电流感测信号的纹波大小，从而调整半导体驱动电路的输出电流纹波，驱动电路构成简单，减小了使用成本，电路能长时间工作，提高了电路的安全性，提高了半驱动电路的使用寿命。
一种半导体驱动电路电流调整方法电源管理芯片装置

[发明专利]一种存储控制方法、存储控制器、存储设备及存储系统-CN201811147678.7有效
发明人： 陈敬沧;于楠;刘世军;陈刚 -专利权人：上海百功半导体有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种存储控制方法、存储控制器、存储设备及存储系统，该存储控制方法用于控制一存储设备的存储行为，包括：获取所述存储设备的行为信息；利用一深度学习算法对所述行为信息进行处理，获得所述存储设备的行为参数；根据所述存储设备的行为参数调整所述存储设备的运行模式。本发明通过深度自我学习的方式提升存储设备自动调整操作算法以适应复杂系统对于存储设备的不同需求，进而实现了符合该系统需求的最适读写效能、最佳可靠度，及最低功耗的存储设备。
一种存储控制方法控制器设备存储系统

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