[发明专利]提升SSD不良品分析效率的方法、装置、存储介质及设备有效
申请号: | 202211080666.3 | 申请日: | 2022-09-05 |
公开(公告)号: | CN115171768B | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 徐高翔;薛红军;孙丽华 | 申请(专利权)人: | 北京得瑞领新科技有限公司 |
主分类号: | G11C29/12 | 分类号: | G11C29/12;G06Q10/00;G06K9/62;G11C29/38;G11C29/44 |
代理公司: | 北京慧智兴达知识产权代理有限公司 11615 | 代理人: | 李丽颖 |
地址: | 100192 北京市海淀区西小口路66号*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提升 ssd 不良 分析 效率 方法 装置 存储 介质 设备 | ||
1.一种提升SSD不良品分析效率的方法,其特征在于,所述方法包括:
读取log文件,以从log文件中获取测试出的不良SSD在测试中的异常事件;
对各个异常事件进行解析,得到各个异常事件对应的物理器件;
根据各个异常事件对应的物理器件不同将异常事件划分为不同的事件类型;
根据各个事件类型中异常事件的数量和预设的各个事件类型的评分权重计算与每一事件类型对应的物理器件的异常评分;
判断各个物理器件的异常评分是否大于各自对应的预设评分阈值,将异常评分大于对应的预设评分阈值的物理器件判定为异常元器件;
在读取log文件过程中,所述方法还包括:
从log文件中获取测试出的不良SSD的PCB信息;
在将异常评分大于对应的预设评分阈值的物理器件判定为异常元器件之后,根据PCB信息获取与所述PCB信息对应的器件位置映射关系,所述器件位置映射关系包括不良SSD中各个物理器件在PCB中的位置分布信息;
根据所述器件位置映射关系确定异常元器件在PCB中的位置分布。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在读取log文件过程中,所述方法还包括:
从log文件中获取测试出的不良SSD的固件配置信息;
相应的,所述对各个异常事件进行解析,得到各个异常事件对应的物理器件,包括:基于不良SSD的固件配置信息对log文件中异常事件发生的位置信息进行解析,得到各个异常事件对应的物理器件。
3.根据权利要求1-2任一项所述的方法,其特征在于,所述异常事件包括:主控制器异常、DDR异常、外围器件异常和NAND 闪存异常,NAND 闪存异常包括:NAND FLASH初始化失败、擦除失败、编程失败和重读失败;
所述根据各个异常事件对应的物理器件不同将异常事件划分为不同的事件类型包括:
将主控制器异常、DDR异常、外围器件异常分别划分为对应的事件类型;
将NAND FLASH初始化失败、擦除失败、编程失败和重读失败按照事件发生的片选区域、颗粒、物理块或物理页的不同划分为不同的事件类型。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
将NAND FLASH初始化失败按照事件发生的芯片target进行异常事件统计;
将擦除失败按照事件发生的物理块进行异常事件统计;
将编程失败按照事件发生的物理块进行异常事件统计;
将重读失败按照事件发生的物理页进行异常事件统计。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
若发生重读失败的物理页规律性地分布在物理块上,则将重读失败按照事件发生的物理页和物理块分别进行异常事件统计;
若发生重读失败的物理页规律性地分布在物理块上,且发生重读失败的物理块规律性地分布在颗粒上,则将重读失败按照事件发生的物理页、 物理块和颗粒分别进行异常事件统计。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,各个事件类型的评分权重具有以下关系:
主控制器异常=DDR异常=外围器件异常= NAND FLASH初始化失败擦除失败=编程失败=发生在颗粒的重读失败 发生在物理块的重读失败发生在物理页的重读失败。
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