[发明专利]半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法在审

专利信息
申请号: 202211076157.3 申请日: 2022-09-02
公开(公告)号: CN116206666A 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 宋英杰;金成来;李起准;李明奎;李恩爱;赵诚慧 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G06F11/10
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 纪雯;倪斌
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 器件 操作 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体存储器件,包括:

缓冲器管芯,被配置为与外部设备通信;以及

多个存储器管芯,堆叠在所述缓冲器管芯上,并且被配置为通过多个贯通基板通孔连接到所述缓冲器管芯,

其中,所述多个存储器管芯中的每一个包括:

存储器单元阵列,包括耦接到多条字线和多条位线的多个易失性存储器单元;以及

纠错码ECC引擎,被配置为使用奇偶校验生成矩阵对要存储在所述存储器单元阵列的目标页中的主数据执行里德-所罗门RS编码以生成奇偶校验数据,并被配置为使用奇偶校验检查矩阵对从所述目标页读取的所述主数据和所述奇偶校验数据执行RS解码来以符号为单位校正所述主数据的错误,

其中,所述奇偶校验检查矩阵包括:

第一部分,包括多个子矩阵,所述多个子矩阵中的每一个子矩阵与所述主数据内的多个符号中的两个不同符号相对应;以及

第二部分,与所述奇偶校验数据相关联,

其中,所述多个子矩阵中的每一个子矩阵包括两个单位子矩阵和两个相同的α矩阵,所述两个单位子矩阵设置在子矩阵的第一对角方向上,并且所述两个相同的α矩阵设置在所述子矩阵的与所述第一对角方向交叉的第二对角方向上,

其中,每个单位子矩阵和每个α矩阵包括p×p个元素,p是大于1的自然数,并且p与所述多个符号内的每一个符号中的数据比特的数量相对应,并且

其中,所述奇偶校验检查矩阵的第y行中的高电平值元素的数量与所述奇偶校验检查矩阵的第(y+p)行中的高电平值元素的数量相同,并且y是等于或小于p的自然数。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件,其中:

每个单位子矩阵包括在所述第一对角方向上的值为1的p个元素和除所述p个元素之外的值为0的其余元素,

每个α矩阵属于伽罗瓦域,并且

当所述多个符号的数量与等于或大于2的偶数自然数k相对应时,所述α矩阵的数量与k相对应。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件,其中,每个α矩阵由αi表示,且i等于或大于1且等于或小于2p-1。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器件,其中:

所述多个子矩阵包括第一子矩阵至第k/2子矩阵,

所述第一子矩阵至所述第k/2子矩阵中的每一个包括两个相同的矩阵,所述两个相同的矩阵是第一个α矩阵至第k/2个α矩阵之一,并且

所述第一个α矩阵由αi0表示,且所述第k/2个α矩阵由αi(k/2-1)表示。

5.根据权利要求2所述的半导体存储器件,其中,所述ECC引擎被配置为对所述k个符号执行所述RS编码,并使用k/2个α矩阵对所述k个符号执行所述RS解码。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件,其中,所述ECC引擎包括:

校验子生成器,被配置为:

在写入操作中,使用所述奇偶校验生成矩阵对所述主数据执行所述RS编码以生成所述奇偶校验数据,以及

在读取操作中,基于包括从所述目标页读取的所述主数据和所述奇偶校验数据的读取码字,使用所述奇偶校验检查矩阵来生成包括错误规模校验子和错误定位符校验子的校验子;以及

RS解码器,被配置为基于所述校验子对所述读取码字执行所述RS解码,

其中,所述错误规模校验子指示所述读取码字的错误的数量,并且

其中,所述错误定位符校验子指示包括所述错误的符号的位置。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器件,其中,所述RS解码器包括:

错误定位符校验子生成器,被配置为通过将所述错误规模校验子乘以对应的α矩阵来生成比较错误定位符校验子;

比较器,被配置为通过将所述错误定位符校验子与所述比较错误定位符校验子进行比较来输出比较信号;

错误位置生成器,被配置为基于所述比较信号生成指示所述读取码字中的所述错误的位置的错误位置信号;以及

数据校正器,被配置为基于所述错误位置信号来校正所述读取码字中的所述错误,以输出经校正的码字。

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