[发明专利]用于处理基板的装置和用于处理基板的方法

说明书

本发明涉及用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。本发明构思提供了一种掩模处理装置。该掩模处理装置包括支承单元，该支承单元被配置成支承并旋转掩模，该掩模在其多个单元内具有第一图案并且在该多个单元的区域之外具有第二图案；以及加热单元，该加热单元具有激光照射器，该激光照射器用于将激光照射到支承在该支承单元上的该掩模的特定区域；以及控制器，该控制器被配置成控制该支承单元和该加热单元，并且其中该支承单元包括：支承部，该支承部用于支承该掩模；以及移动台部，该移动台部被配置成移动该支承部的位置，并且其中该控制器控制该移动台部，从而改变支承在该支承部上的该掩模的位置，使得该第二图案被定位在该特定区域处。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年9月2日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2021-0116913的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本文中描述的本发明构思的实施方案涉及一种基板处理装置和基板处理方法，更具体地涉及一种用于通过加热基板来处理基板的基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

为了制造半导体元件，在诸如晶圆等基板上执行各种工艺，诸如光刻工艺、刻蚀工艺、灰化工艺、离子注入工艺和薄膜沉积工艺。在各工艺中使用各种处理液和处理气体。另外，在基板上执行干燥工艺以从基板去除用于处理基板的处理液。

用于在晶圆上形成图案的光刻工艺包括曝光工艺。曝光工艺是预先执行的、用于将附接到晶圆的半导体集成材料切割成期望图案的操作。曝光工艺可以具有各种目的，诸如形成用于刻蚀的图案、以及形成用于离子注入的图案。在曝光工艺中，使用掩模(掩模是一种“框架”)利用光将图案绘制在晶圆上。当光暴露于晶圆上的半导体集成材料(例如，晶圆上的光刻胶)时，光刻胶的化学性质根据由光和掩模形成的图案而改变。当显影液被供应到光刻胶(光刻胶的化学性质根据图案已改变)时，在晶圆上形成图案。

为了精确地执行曝光工艺，必须精确地制造在掩模上形成的图案。为了确认图案以期望的形式精确地形成，操作者使用诸如扫描电子显微镜(SEM，scanning electronmicroscope)等检查设备来检查形成的图案。然而，大量图案是在一个掩模上形成的。即，检查一个掩模需要花费大量时间来检查所有的大量图案。

相应地，能够表示包括多个图案的一个图案组的监控图案(monitoring pattern)在掩模上形成。此外，可以表示多个图案组的锚定图案(anchor pattern)在掩模上形成。操作者可以通过检查锚定图案来估计在掩模上形成的图案是否良好。此外，操作者可以通过检查监控图案来估计被包括在一个图案组中的图案是否良好。

如上所述，由于在掩模上形成的监控图案和锚定图案，操作者可以有效地缩短掩模检查所需的时间。但是，为了提高掩模检查的精度，优选的是监控图案和锚定图案的临界尺寸(critical dimension)相同。

当执行蚀刻以使监控图案的临界尺寸和锚定图案的临界尺寸相等时，可能会在图案处发生过度蚀刻。例如，监控图案的临界尺寸的蚀刻速率与锚定图案的蚀刻速率之间的差异可能会发生数次，并且在重复蚀刻监控图案和/或锚定图案的工艺以减小差异的过程中，可能会在监控图案的临界尺寸和锚定图案的临界尺寸处发生过度蚀刻。当为了最小化这种过度刻蚀的发生而精确地执行刻蚀工艺时，该刻蚀工艺会花费大量时间。相应地，额外执行了用于精确地校准在掩模上形成的图案的临界尺寸的临界尺寸校准工艺。